[发明专利]2．5D/3D集成电路系统的ESD保护

说明书

技术领域

本发明涉及的是集成电路结构的ESD保护方案，并且更具体地涉及的是2.5D/3D集成电路结构的ESD保护方案。

背景技术

集成电路(“IC”)被集成到许多电子器件中。IC封装的发展使得可以将多个IC垂直地叠加在所谓的三维(“3D”)封装件中，从而节省了印刷电路板(“PCB”)上的水平面积。为将一个或多个管芯与PCB相连接，被称为2.5D封装件的可选的封装技术可以使用中介层，该中介层可以由半导体材料(诸如，硅)形成。中介层是一种经常被用来为互连布线或被用作为不同IC芯片的接地面/电源面的中间层。在中介层上装配了可以属于同类技术或不同类技术的多个IC芯片。在中介层中通过导电图案为多个IC之间的连接布线。在现今的2.5D/3D应用中的ESD保护仍局限于没有任何芯片对芯片ESD放电路径的内部芯片ESD保护。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路结构，包括：第一集成电路器件和第二集成电路器件，设置在中介层上，每个集成电路器件中都具有与内部ESD总线相连接的静电放电(ESD)保护电路，所述中介层包括与所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的所述ESD总线电连接的ESD总线，用于向所述集成电路器件提供交叉器件ESD保护。

在该集成电路中，所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件通过所述中介层与位于所述中介层的底面的相应接地连接器相连接，并且所述中介层的ESD总线与位于所述中介层的底面的相应接地连接器电连接。

在该集成电路中，所述中介层包括金属互连层，并且所述中介层的所述ESD总线形成在所述金属互连层内的金属线级层内。

在该集成电路中，所述中介层的所述ESD总线以网状结构被布置在所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件下面。

在该集成电路中，所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的ESD总线直接与所述中介层的ESD总线电连接，而在其间没有连接任何有源器件。

在该集成电路中，所述第一集成电路和所述第二集成电路至少包括：第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别电连接在所述第一集成电路器件的ESD总线和所述第二集成电路器件的ESD总线与所述中介层的ESD总线之间。

在该集成电路中，所述中介层的所述ESD总线包括：第一环形结构，设置在所述第一集成电路器件下面；以及第二环形结构，设置在所述第二集成电路器件下面，并且与所述中介层中的所述第一环形结构相连接。

在该集成电路中，所述第一集成电路器件的ESD总线和所述第二集成电路器件的ESD总线分别直接与所述第一环形结构和所述第二环形结构电连接，而在其间没有连接任何有源器件。

在该集成电路中，所述第一集成电路和所述第二集成电路至少包括第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别电连接在所述第一集成电路器件和所述第一环形结构之间以及所述第二集成电路器件和所述第二环形结构之间。

在该集成电路中，至少包括：第一ESD保护电路和第二ESD保护电路，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别电连接在所述第一集成电路器件的低电源节点和所述第二集成电路器件的低电源节点与所述中介层的所述ESD总线之间。

在该集成电路中，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路分别包括在所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件内，并且电连接在每个集成电路器件的所述低电源节点和ESD总线之间。

在该集成电路中，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路形成在所述中介层中。

在该集成电路中，所述第一ESD保护电路和所述第二ESD保护电路均包括交叉相连的二极管对。