[发明专利]用于芯片级封装的电连接

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

后钝化互连件，位于衬底上方，其中，所述后钝化互连件包括：

接合焊盘区域，具有第一长度和第一宽度；以及

互连区域，具有小于所述第一宽度的第二宽度；以及

凸块下金属化层，位于所述后钝化互连件上方，所述凸块下金属化层具有与所述接合焊盘区域相接触的界面，所述界面具有小于所述第一宽度和所述第一长度的第二长度，所述凸块下金属化层具有小于所述第一宽度和所述第一长度的第三长度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接合焊盘包括连续导电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一长度大于所述第一宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述接合焊盘具有与所述衬底的中心对准的纵轴。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：钝化层，位于所述后钝化互连件上方，所述凸块下金属化层延伸穿过所述钝化层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接合焊盘在两个相反方向上从所述界面延伸相同距离，所述两个相反方向都与所述接合焊盘的纵轴在同一直线上，或者

其中，所述接合焊盘在与所述接合焊盘的纵轴平行的第一方向上从所述界面延伸第一距离，并且在与所述第一方向在同一直线上的第二方向上延伸第二距离，所述第二距离与所述第一距离不同，所述第一方向与所述第二方向不同，或者

其中，所述接合焊盘在两个相反方向上从所述界面延伸相同距离，所述两个相反方向彼此在同一直线上，并且与所述接合焊盘的纵轴垂直，或者

其中，所述接合焊盘在与所述接合焊盘的纵轴垂直的第一方向上从所述界面延伸第一距离，并且在与所述第一方向在同一直线上的第二方向上延伸第二距离，所述第二距离与所述第一距离不同，所述第一方向与所述第二方向不同。

7.一种半导体器件，包括：

接触焊盘，位于衬底上方；

再分布层，与所述接触焊盘电接触，所述再分布层包括接合焊盘，所述接合焊盘具有第一长度和第一宽度；

凸块下金属化层，与所述接合焊盘物理接触，所述凸块下金属化层具有：大于所述第一长度的第二长度和大于所述第一宽度的第二宽度；以及

导电材料的第一外围区域，位于所述凸块下金属化层的外边缘下方，并且与所述再分布层横向分隔开。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：钝化层，位于第一层上方，其中，导电材料的所述第一外围区域和所述再分布层位于所述第一层中，或者

其中，所述第一外围区域为矩形，或者

其中，所述第一外围区域为月牙形，或者

其中，所述第一外围区域为椭圆形，或者

进一步包括：

第二外围区域，位于所述凸块下金属化层的所述外边缘的下方；以及

第三外围区域，位于所述凸块下金属化层的所述外边缘的下方，所述第二外围区域与所述第三外围区域和所述第一外围区域横向分隔开，或者

其中，所述接合焊盘为连续导电材料。

9.一种半导体器件，包括：

后钝化互连件结构，位于衬底上方，所述后钝化互连结构包括：

接合焊盘区域，具有第一长度、小于所述第一长度的第一宽度，和纵轴；以及

互连区域，具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；

钝化层，位于所述后钝化互连结构上方；

开口，穿过所述钝化层到达所述接合焊盘区域；

凸块下金属化层，位于所述接合焊盘区域上方，并且通过所述开口与所述接合焊盘区域相接触，其中，所述接合焊盘区域在与所述纵轴平行的第一方向上延伸超过所述开口，并且还在与所述纵轴垂直的第二方向上延伸超过所述开口。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述后钝化互连结构为连续的，或者

其中，所述接合焊盘具有与所述衬底的中心对准的纵轴，或者

其中，所述凸块下金属化层的中心偏离所述接合焊盘的中心。