[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

形成含有杂质的绝缘层；

通过刻蚀所述绝缘层来形成接触孔；

执行处理以降低所述绝缘层的表面上的杂质浓度；以及

清洗所述接触孔。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述处理是使用通过将催化剂和氧化剂混合所制备的处理溶液来执行的，所述催化剂用于从所述表面去除所述杂质，所述氧化剂用于氧化因去除所述杂质而在所述表面上产生的空隙。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述催化剂包括具有范围在约-10至约1的酸解离常数pKa的酸。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述催化剂包括选自高氯酸、氢碘酸、氢溴酸、盐酸、过氧化单硫酸和硫酸中的酸。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述催化剂以约10％重量至约40％重量的量包含在所述处理溶液中。

6.如权利要求2所述的方法，其中，所述氧化剂包括过氧化氢或臭氧。

7.如权利要求2所述的方法，其中，在所述处理溶液中所述催化剂与所述氧化剂的混合比在约4∶1至约50∶1的范围。

8.如权利要求2所述的方法，其中，在约90℃至约250℃的温度下执行所述处理约5分钟至约60分钟。

9.如权利要求2所述的方法，还包括以下步骤：

在所述处理之后执行清洗工艺和干燥工艺。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘层包括选自硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃和硼硅酸盐玻璃中的至少一种。

11.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个图案；

形成层间电介质层以间隙填充所述图案之间的间隔，其中所述层间电介质层含有磷作为杂质；

通过刻蚀所述层间电介质层来形成接触孔；

执行用于降低所述层间电介质层的表面上的所述杂质的浓度的处理；以及

清洗所述接触孔。

12.如权利要求11所述的方法，其中，使用硫酸过氧化物混合物SPM溶液来执行所述处理，所述SPM溶液是通过将硫酸和过氧化氢混合所制备的。

13.如权利要求11所述的方法，其中，使用硫酸过氧化物混合物SPM溶液来执行所述处理，所述SPM溶液是通过以约4∶1至约50∶1的比例将硫酸和过氧化氢混合所制备的。

14.如权利要求11所述的方法，其中，在约90℃至约250℃的温度下使用硫酸过氧化物混合物SPM溶液来执行所述处理约5分钟至约60分钟，所述SPM溶液是通过将硫酸和过氧化氢混合所制备的。

15.如权利要求11所述的方法，其中，在约90℃至约250℃的温度下使用硫酸过氧化物混合物SPM溶液来执行所述处理约5分钟至约60分钟，所述SPM溶液是通过以约4∶1至约50∶1的比例将硫酸和过氧化氢混合所制备的。

16.如权利要求11所述的方法，还包括以下步骤：

在所述处理之后执行清洗工艺和干燥工艺。

17.如权利要求11所述的方法，其中，所述层间电介质层包括硼磷硅酸盐玻璃BPSG或磷硅酸盐玻璃PSG。

18.如权利要求11所述的方法，其中，所述处理包括从所述表面去除所述杂质以产生空隙以及氧化所述空隙以使所述表面致密化。

19.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成第一接触插塞；

在所述第一接触插塞之上形成硼磷硅酸盐玻璃BPSG层；

通过刻蚀所述BPSG层形成暴露出所述第一接触插塞的接触孔；

通过使用将硫酸和过氧化氢混合所制备的溶液，对所述接触孔的侧壁执行处理；

清洗所述接触孔；以及

在所述接触孔中形成第二接触插塞。

20.如权利要求19所述方法，其中，所述处理包括从所述BPSG层去除硼和磷以产生空隙以及氧化所述空隙以便使所述接触孔的侧壁致密化，与致密化之前相比所述侧壁不易于因为所述接触孔的清洗而受到损伤。