[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一存储节点触点插塞，其设置在半导体基板上方的触点孔中；

第二存储节点触点插塞，其为接垫型，形成在所述第一存储节点触点插塞上；

第三存储节点触点插塞，其为杆型，形成在所述第二存储节点触点插塞上；以及

下电极，其为杆型，形成在所述第三存储节点触点插塞上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第三存储节点触点插塞在水平面上占据的面积比所述第二存储节点触点插塞占据的面积小。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

沿着与位线平行的方向布置的多个相邻的第三存储节点触点插塞中的每一个第三存储节点触点插塞设置在位于下方的所述第二存储节点触点插塞的第一部分的正上方。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

沿着与位线平行的方向布置的多个相邻的第三存储节点触点插塞中的每一个第三存储节点触点插塞设置在位于下方的所述第二存储节点触点插塞的不同部分的正上方。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述下电极在长轴方向上的长度比所述第三存储节点触点插塞在长轴方向上的长度长。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二存储节点触点插塞的宽度大于所述第一存储节点触点插塞的宽度。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体基板上方的触点孔中形成第一存储节点触点插塞；

在所述第一存储节点触点插塞上形成接垫型的第二存储节点触点插塞；

在所述第二存储节点触点插塞上形成杆型的第三存储节点触点插塞；以及

在所述第三存储节点触点插塞上形成杆型的下电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述第三存储节点触点插塞在水平面上占据的面积比所述第二存储节点触点插塞占据的面积小。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，

沿着与位线平行的方向布置的多个相邻的第三存储节点触点插塞中的每一个第三存储节点触点插塞设置在位于下方的所述第二存储节点触点插塞的第一部分的正上方。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，

沿着与位线平行的方向布置的多个相邻的第三存储节点触点插塞中的每一个第三存储节点触点插塞设置在位于下方的所述第二存储节点触点插塞的不同部分的正上方。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述下电极在长轴方向上的长度比所述第三存储节点触点插塞在长轴方向上的长度长。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述第二存储节点触点插塞的宽度大于所述第一存储节点触点插塞的宽度。

13.一种半导体器件，包括：

半导体基板；

位线，其沿着第一方向设置；

触点孔，其设置在所述半导体基板上；

第一级存储节点触点插塞，其设置在所述触点孔中；

第二级存储节点触点插塞，其设置在所述第一级存储节点触点插塞上并且与所述第一级存储节点触点插塞连接；

第三级存储节点触点插塞，其设置在第二级存储节点触点插塞上并且与所述第二级存储节点触点插塞连接；以及

下电极，其设置在一组第二级存储节点触点插塞上并且与所述第三级存储节点触点插塞连接，

其中，所述一组第二级存储节点触点插塞包括多个第二级存储节点触点插塞。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

所述组中的第二级存储节点触点插塞沿着所述第一方向设置。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

所述组中的第二级存储节点触点插塞沿着与所述第一方向垂直的第二方向设置。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，

所述组由五个第二级存储节点触点插塞组成。