[发明专利]基于Nandflash的双端口存储器电路

权利要求书

1.一种基于与非型闪存Nandflash的双端口存储器电路，其特征在于，包括：

第一端口指令队列模块，用于存放第一端口控制逻辑模块发送的对与非型闪存Nandflash存储阵列模块的操作指令，并保存指令的执行状态；

第二端口指令队列模块，用于存放第二端口控制逻辑模块发送的对与非型闪存Nandflash存储阵列模块的操作指令，并保存指令的执行状态；

第一端口直接寄存器访问DMA控制器，用于控制第一端口数据缓存区和与非型闪存Nandflash存储阵列模块之间的数据传输；

第二端口直接寄存器访问DMA控制器，用于控制第二端口数据缓存区和与非型闪存Nandflash存储阵列模块之间的数据传输；

指令执行控制逻辑模块，用于对所述第一端口指令队列模块和第二端口指令队列模块的操作进行仲裁和控制；对第一端口直接寄存器访问DMA控制器和第二端口直接寄存器访问DMA控制器的操作进行仲裁和控制；

与非型闪存Nandflash接口控制器，用于控制和所述与非型闪存Nandflash存储阵列模块之间的数据传输，并对所述指令执行控制逻辑模块的控制逻辑进行控制；

所述与非型闪存Nandflash存储阵列模块，由多片与非型闪存Nandflash构成，共享同一数据总线，用于存放数据。

2.如权利要求1所述的双端口存储器电路，其特征在于：所述第一端口控制逻辑模块和第二端口控制逻辑模块相互独立的发出操作请求，将操作请求写入相应的指令队列模块。

3.如权利要求1所述的双端口存储器电路，其特征在于：所述指令执行控制逻辑模块检查要访问的与非型闪存Nandflash的状态，若为空闲则将第一端口指令队列模块或者第二端口指令队列模块里的指令发送给与非型闪存Nandflash；若第一端口指令队列模块的指令和第二端口指令队列模块的指令同时命中一片与非型闪存Nandflash，则所述指令执行控制逻辑模块根据“端口交替”的原则选择其中一条指令发送给与非型闪存Nandflash。

4.如权利要求1所述的双端口存储器电路，其特征在于：所述指令执行控制逻辑模块将指令发送给与非型闪存Nandflash，等与非型闪存Nandflash准备好接收数据或者发送数据以后，启动第一端口直接寄存器访问DMA控制器或者第二端口直接寄存器访问DMA控制器向与非型闪存Nandflash写入数据或者从与非型闪存Nandflash读出数据；若第一端口直接寄存器访问DMA控制器和第二端口直接寄存器访问DMA控制器同时有数据要传送，则所述指令执行控制逻辑模块按照“端口交替”的原则，选择其中一个端口直接寄存器访问DMA控制器进行数据传输。

5.如权利要求1所述的双端口存储器电路，其特征在于：所述第一端口控制逻辑模块和第二端口控制逻辑模块能够同时向所述与非型闪存Nandflash发送读取指令、写入指令或者擦除指令。

6.如权利要求1所述的双端口存储器电路，其特征在于：所述指令执行控制逻辑模块控制所述与非型闪存Nandflash操作指令的具体执行。

7.如权利要求1所述的双端口存储器电路，其特征在于：所述与非型闪存Nandflash接口控制器和与非型闪存Nandflash存储阵列模块的接口由多个片选信号、多个就绪/忙信号、一组控制信号和一组数据信号组成。