[发明专利]用于处理绝缘体上半导体结构的工艺

权利要求书

1.一种用于处理绝缘体上半导体结构的工艺，所述绝缘体上半导体结构连续包括支撑基板(1)、半导体的氧化物或氮氧化物层(2)和所述半导体的薄半导体层(3)，所述工艺包括以下步骤：

(i)在所述薄层(3)的表面上形成掩模(4)，以限定所述薄层的区域(3a)和区域(3b)，所述区域(3a)被称作没有被所述掩模覆盖的被暴露区域，并且根据第一图案来分布，所述区域(3b)被所述掩模覆盖并且根据与所述第一图案互补的第二图案来分布；以及

(ii)在惰性或还原性气氛中并且在受控的温度和时间条件下，应用热处理，以使得所述氧化物或氮氧化物层(2)中的至少部分氧扩散穿过所述薄半导体层的被暴露区域(3a)，从而导致根据所述第一图案布置的所述氧化物或氮氧化物层(2)的区域(2b)中的氧化物或氮氧化物的厚度减小，

所述工艺的特征在于，在步骤(ii)之前或在步骤(ii)期间，在所述被暴露区域(3a)上形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)，所述氮化物或氮氧化物层(5)的厚度使得穿过所述薄层(3)的被暴露区域(3a)的氧扩散速率与穿过被所述掩模(4)覆盖的所述区域(3b)的氧扩散速率之比大于或等于2。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在应用步骤(ii)的热处理之前，执行形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)的步骤。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，在步骤(ii)的热处理的至少一部分期间，执行形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)的步骤。

4.根据权利要求2所述的工艺，其特征在于，通过将所述薄层(3)的被暴露区域(3a)暴露于含有氮的气氛中，来形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)。

5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，通过将氮等离子体施加到所述薄层(3)，来形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)。

6.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，通过在含有氮的气氛中进行退火，来形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)。

7.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，步骤(ii)的热处理的所述气氛含有氮，使得在步骤(ii)期间，在所述被暴露区域(3a)的表面上形成所述薄层(3)的所述半导体的氮化物或氮氧化物层(5)。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，在1100℃至1300℃之间的温度下，执行步骤(ii)的热处理5分钟至500分钟之间的时间，并且其特征在于，所述气氛所含的氮浓度优选地处于0.1％至1％之间。