[发明专利]具有节省空间的边缘结构的半导体部件

权利要求书

1.半导体部件，包括：

半导体本体，其包括第一侧和第二侧、以及具有第一传导类型的基本掺杂的第一半导体层；

第一半导体层中与第一传导类型互补的第二传导类型的至少一个有源部件区；

具有多个沟槽的单元阵列，每个沟槽包括场电极和场电极电介质；

第二传导类型的至少一个单元阵列边缘区，所述单元阵列边缘区在所述单元阵列中被仅仅布置在所述单元阵列的边缘区域中，毗邻所述单元阵列的至少一个沟槽，以及被至少部分地布置在所述单元阵列中的所述至少一个沟槽下面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，多个隔开的单元阵列边缘区被布置在所述单元阵列的所述至少一个沟槽下面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体本体包括内部区域和边缘区域，

其中第一半导体层跨过所述内部区域和所述边缘区域延伸，以及

其中所述至少一个有源部件区域仅仅在所述内部区域中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

所述边缘区域中的边缘结构。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述边缘结构包括：

从第一侧延伸到所述半导体本体中的至少一个边缘沟槽；

所述边缘区域中的电介质层；以及

第二传导类型的第一边缘区，其毗邻所述边缘沟槽以及被至少部分地布置在所述沟槽下面。

6.根据权利要求5所述的半导体部件，

其中，所述至少一个单元阵列边缘区在所述半导体本体的横向上毗邻一个边缘区。

7.根据权利要求1所述的半导体部件，

其中所述单元阵列包括邻近所述至少一个边缘沟槽的最外沟槽，以及

其中所述至少一个单元阵列边缘区毗邻所述单元阵列的所述最外沟槽。

8.根据权利要求7所述的半导体部件，

其中，所述最外沟槽是环形的，以及在所述半导体本体的横向上终止所述单元阵列。

9.根据权利要求1所述的半导体部件，

其中，所述单元阵列的所述边缘区域沿着所述单元阵列的边缘延伸，以及在所述半导体本体的水平面中具有所述单元阵列的尺寸的0.1%和2%之间的尺寸。

10.根据权利要求1所述的半导体部件，

其中，所述单元阵列边缘区在所述半导体本体的水平面中是环形的。

11.根据权利要求1所述的半导体部件，

其中，所述至少一个单元阵列边缘区与所述边缘区是隔开的。

12.根据权利要求1所述的半导体部件，还包括：

在所述半导体本体的横向上隔开的至少两个单元阵列边缘区。

13.根据权利要求12所述的半导体部件，

其中，所述至少两个单元阵列边缘区在所述半导体本体的水平面中是环形的。

14.根据权利要求1所述的半导体部件，还包括：

所述至少一个边缘沟槽中的边缘电极，所述边缘电极通过所述电介质层与所述半导体本体分开。

15.根据权利要求1所述的半导体本体，

其中，所述边缘沟槽被所述电介质层完全充满。

16.根据权利要求1所述的半导体部件，还包括：

与第一边缘区分开的第二传导类型的第二边缘区，其横向地毗邻所述至少一个边缘沟槽以及毗邻第一侧。

17.根据权利要求1所述的半导体部件，其中，第一边缘区具有掺杂浓度，使得当所述半导体器件处于关断状态时，它能够被完全地耗尽或者能够除了具有小于所述边缘沟槽的横向宽度的尺寸的区域之外被耗尽。

18.根据权利要求1所述的半导体部件，其中，所述单元阵列边缘区具有掺杂浓度，使得当所述半导体器件处于关断状态时，它能够被完全地耗尽或者能够除了具有小于所述边缘沟槽的横向宽度的尺寸的区域之外被耗尽。