[发明专利]多晶硅电池片快速变温磷吸杂工艺无效
| 申请号： | 201210021714.1 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102544226A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何智锋;柴晓燕;李科伟 | 申请（专利权）人： | 浙江丰球光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/322 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311800 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 电池 快速 变温磷吸 杂工 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅电池片快速变温磷吸杂工艺，包括如下步骤：
(1)在800℃低温下第一步通入三氯氧磷，通磷时间为900s，气体流量为1000sccm；
(2)将炉温上升到850℃，第二步通入三氯氧磷，通磷时间为780s，气体流量为1000sccm；
(3)在850℃下，恒温沉积推进，工艺时间为900s；
(4)快速降温，使炉管温度降低至600℃低温，进行二次推进吸杂，工艺时间为600s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
