[发明专利]一种有机物层刻蚀方法

权利要求书

1.一种有机物层刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：

将待刻蚀基片放入等离子反应腔，所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层；

通入反应气体到等离子反应腔；

向反应气体施加射频电能点燃等离子体，对所述基片进行刻蚀；

其中所述反应气体包括主刻蚀气体，稀释气体和侧壁保护气体，其中主刻蚀气体分子为O2，稀释气体选自Ar、N2、CO之一或者所述几种气体的混合物，侧壁保护气体为COS，稀释气体流量大于所述主刻蚀气体流量，侧壁保护气体流量小于主刻蚀气体流量。

2.根据权利要求1所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于其中所述刻蚀目标材料层包括一层有机物掩膜材料层，以及位于该有机物掩膜材料层上方图形化的无机材料层，所述图形化无机材料层具有第一临界尺寸。

3.根据权利要求2所述的一种有机物层刻蚀方法方法，其特征在于其中所述图形化无机材料层的图形通过位于其上方的具有第一临界尺寸图形的光刻胶为掩膜刻蚀获得。

4.根据权利要求2所述的一种有机物层刻蚀方法方法，其特征在于其中所述有机物掩膜材料层通过刻蚀在材料层底部形成具有第二临界尺寸的图形，其中第二临界尺寸小于第一临界尺寸。

5.根据权利要求4所述的一种有机物层刻蚀方法方法，其特征在于以具有第二临界尺寸图形的所述有机物掩膜材料层为掩膜刻蚀下方的第二无机材料层。

6.根据权利要求2所述的一种有机物层刻蚀方法方法，其特征在于其中所述有机物掩膜材料层厚度大于100nm。

7.根据权利要求1所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于所述反应腔中通入反应气体中稀释气体与主刻蚀气体O2的流量比为5∶1～10∶1。

8.根据权利要求7所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于所述反应腔中通入反应气体中稀释气体与主刻蚀气体O2的流量比为5∶1～8∶1。

9.根据权利要求7所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于所述反应腔中通入反应气体中稀释气体的流量与侧壁保护气体COS的流量比可以在20∶1到6∶1之间。

10.根据权利要求1所述的一种有机物层刻蚀方法，其特征在于其中所述射频电能施加为100-1000W的射频电能，刻蚀时间持续大于30秒。