[发明专利]固态成像装置、其制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

层叠的半导体芯片，构造为通过将两个或更多个半导体芯片部分彼此接合而获得，且是通过至少将其中形成有像素阵列和多层配线层的第一半导体芯片部分和其中形成有逻辑电路和多层配线层的第二半导体芯片部分彼此接合而获得，并且该多层配线层彼此相对且彼此电连接；以及

遮光层，在该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之间的接合附近，构造为由与该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之一或二者的连接互连线的层相同层的导电膜形成，

其中该固态成像装置构造为背面照明固态成像装置。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中以从上面看表面被均匀覆盖的方式，该遮光层由该第一半导体芯片部分侧的导电膜和该第二半导体芯片部分侧的导电膜形成。

3.根据权利要求2所述的固态成像装置，其中

该第一半导体芯片部分侧或该第二半导体芯片部分侧的该导电膜形成为具有多个孔的图案，并且

以与该第一半导体芯片部分侧或该第二半导体芯片部分侧的该导电膜部分交叠的方式，该第二半导体芯片部分侧或该第一半导体芯片部分侧的该导电膜形成为覆盖该多个孔的点图案。

4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中在该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之间的接合部分处，该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分的互连线彼此直接接合。

5.一种固态成像装置的制造方法，该方法包括：

在第一半导体晶片中用作第一半导体芯片部分的区域中至少形成像素阵列和多层配线层；

在第二半导体晶片中用作第二半导体芯片部分的区域中至少形成逻辑电路和多层配线层；

在该第一半导体晶片和该第二半导体晶片之一或二者的该多层配线层中形成由与连接互连线的层相同层的导电膜形成遮光层；

以该第一半导体晶片的该多层配线层和该第二半导体晶片的该多层配线层彼此相对、并且两个晶片的互连线彼此电连接的方式，将至少包括该第一半导体晶片和该第二半导体晶片的两个或更多个半导体晶片接合；

将该第一半导体晶片加工成薄膜形式；以及

将该接合的半导体晶片加工成芯片。

6.根据权利要求5所述的固态成像装置的制造方法，其中以从上面看表面被均匀覆盖的方式，该遮光层由该第一半导体晶片侧的该导电膜和该第二半导体晶片侧的该导电膜形成。

7.根据权利要求6所述的固态成像装置的制造方法，其中

该第一半导体晶片侧或该第二半导体晶片侧的该导电膜形成为具有多个孔的图案，并且

以与该第一半导体晶片侧或该第二半导体晶片侧的该导电膜部分交叠的方式，该第二半导体晶片侧或该第一半导体晶片侧的该导电膜形成为覆盖该多个孔的点图案。

8.根据权利要求5所述的固态成像装置的制造方法，其中在该第一半导体晶片和该第二半导体晶片之间的接合部分处，该第一半导体晶片和该第二半导体晶片的互连线彼此直接接合。

9.一种电子设备，包括：

固态成像装置；

光学系统，构造为将入射光引导到该固态成像装置的光电转换器；以及

信号处理单元，构造为处理该固态成像装置的输出信号，

该固态成像装置包括：

层叠的半导体芯片，构造为通过将两个或更多个半导体芯片部分彼此接合而获得，且是通过至少将其中形成有像素阵列和多层配线层的第一半导体芯片部分和其中形成有逻辑电路和多层配线层的第二半导体芯片部分彼此接合而形成，并且该多层配线层彼此相对且彼此电连接；以及

遮光层，在该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之间的接合附近，构造为由与该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之一或二者的连接互连线的层相同层的导电膜形成，

其中该固态成像装置构造为背面照明固态成像装置。