[发明专利]用于半导体元件的宽沟渠终端结构有效
| 申请号： | 201210022142.9 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102629623A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;郭鸿鑫;赵国梁 | 申请（专利权）人： | 英属维京群岛商节能元件股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新北市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 元件 沟渠 终端 结构 | ||
1.一种用于半导体元件的宽沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该主动结构区具有多个窄沟渠结构，其特征在于，该宽沟渠终端结构包含：
一宽沟渠结构，界定于该半导体基板上且其宽度大于主动结构区的该窄沟渠结构宽度；
一氧化层，位于该宽沟渠结构的内表面上；
至少一沟渠多晶硅层，位于该氧化层上且在该宽沟渠结构的内侧壁上；
一金属层，位于未被该沟渠多晶硅层覆盖的氧化层上及该沟渠多晶硅层上；及
一氧化层侧壁，位于该半导体基板上且在该宽沟渠结构外侧。
2.根据权利要求1所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该半导体基板包含一高掺杂浓度的硅基板与一低掺杂浓度的外延层。
3.根据权利要求1所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该金属层包含有：一第一金属层，及一第二金属层，所述第二金属层形成于该第一金属层上。
4.根据权利要求3所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该第一金属层为钛金属或氮化钛，而该第二金属层为铝。
5.根据权利要求1所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该半导体元件为金氧半P-N接面二极管装置、肖特基二极管、金氧半场效晶体管或是绝缘栅双极晶体管。
6.一种用于半导体元件的宽沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该主动结构区具有多个窄沟渠结构，其特征在于，该宽沟渠终端结构包含：
一宽沟渠结构，界定于该半导体基板上且其宽度大于主动结构区的该窄沟渠结构宽度；
一热氧化层，位于该宽沟渠结构的内表面；
一四乙氧基硅氧化层，覆盖于该热氧化层上；
一金属层，位于该四乙氧基硅氧化层上；及
一氧化层侧壁，位于该半导体基板上且在该宽沟渠结构外侧。
7.根据权利要求6所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该半导体基板包含一高掺杂浓度的硅基板与一低掺杂浓度的外延层。
8.根据权利要求6所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该金属层包含有：一第一金属层，及一第二金属层，形成于该第一金属层上。
9.根据权利要求8所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该第一金属层为钛金属或氮化钛，而该第二金属层为铝。
10.根据权利要求1所述的用于半导体元件的宽沟渠终端结构，其特征在于，该半导体元件为金氧半P-N接面二极管装置、肖特基二极管、金氧半场效晶体管或是绝缘栅双极晶体管。
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