[发明专利]用于硬盘驱动器(HDD)中亚纳米间隙的空气支承浮动块设计有效
申请号: | 201210022168.3 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN102682787A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | G·郑;E·查;Z·冯;S·杨 | 申请(专利权)人: | 前进科技公司;新科实业有限公司 |
主分类号: | G11B5/60 | 分类号: | G11B5/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧霁晨;王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 硬盘驱动器 hdd 中亚 纳米 间隙 空气 支承 浮动 设计 | ||
1.一种浮动块,包括:
背表面,通过该背表面所述浮动块附接到悬架;
空气支承表面(ABS)侧,具有前沿和后沿,其中所述前沿和后沿具有共同的宽度,该宽度是所述浮动块的宽度,并且其中所述浮动块的长度是所述前沿和所述后沿之间的纵向距离,其中所述ABS侧具有变化深度的表面形状并面对可旋转盘片的表面;
前沿部分和后沿部分,其中所述两个部分由横向深空气沟槽分隔;
容纳嵌入的变换器的中央平板,形成于所述后沿部分中;
横向定向的交径通道,形成于所述前沿部分中;
中间设置的下行通道,其在所述后沿部分和所述前沿部分之间延伸,其中所述下行通道具有前沿端和后沿端以及由沿中心轴纵向定向的相互分隔的纵向边缘纵向包围形成;其中所述通道的所述纵向定向的边缘在所述后沿部分内高度相等,但在它们分隔所述深空气沟槽处高度不相等,以及所述通道的所述纵向定向的边缘还形成双高度桥,所述双高度桥分隔所述深空气沟槽并且终结以形成扭结/横杆,所述通道的所述纵向定向的边缘与所述交径通道交叉并由此形成T型气流通道结构,并且其中所述下行通道的所述后沿端邻接所述中央平板;
第一对空气穴,形成于所述后沿部分中所述下行通道的每一侧;
第二对空气穴,形成于所述前沿部分中所述交径通道的每一侧;
封闭浅隔壁,沿所述后沿形成所述第一对空气穴的后沿边界并隔绝来自所述第一对空气穴的空气流出。
2.如权利要求1所述的浮动块,其中在所述下行通道和所述交径通道之间交叉点处的所述扭结/横杆允许要加压的通道进行预负荷敏感度控制。
3.如权利要求1所述的浮动块,其中所述下行通道和所述交径通道之间的所述T型交叉点作为到所述中央平板的气流向导并且即使在高的高度条件下仍然向所述平板提供加压。
4.如权利要求1所述的浮动块,其中所述双高度桥使得能在倾斜角变化的情况下控制气流。
5.如权利要求1所述的浮动块,其中所述封闭浅隔壁防止所述后沿下的空气回流并由此显著消除盘片润滑剂的粘着和积累,并且去除所有能出现的粘着物。
6.如权利要求5所述的浮动块,其中所述封闭浅隔壁上升到所述第一对空气穴之上高大约25微米,所述封闭浅隔壁形成所述第一对空气穴后沿边界。
7.如权利要求1所述的浮动块,其中所述表面形状充分干扰气流图案以在空气支承层的固有频率下阻尼所述第一纵向和转动模式。
8.如权利要求1所述的浮动块,其中调解所述下行通道和交径通道的宽度和深度提供了在所述中央平板上的目标压力的产生。
9.如权利要求1所述的浮动块,其中所述下行通道和所述深空气沟槽被蚀刻到大约140微米的深度。
10.如权利要求1所述的浮动块,其中所述交径通道被蚀刻到大约9微米的深度。
11.如权利要求1所述的浮动块,其中所述第一和第二空气穴被蚀刻到大约34微米的深度。
12.如权利要求1所述的浮动块,其中所述双高度桥由所述交径通道的两个外围侧边缘形成,其中所述边缘中较高的被蚀刻到9微米的深度,而所述边缘中的另一个被蚀刻到25微米的深度。
13.如权利要求1所述的浮动块,其中所述前沿和所述后沿之间的距离是在大约0.85和1.25毫米之间的长度。
14.如权利要求1所述的浮动块,其中两侧边之间距离是在大约0.5和1.0毫米之间的宽度。
15.如权利要求1所述的浮动块,其中所述下行通道具有所述浮动块长度的大约50%到70%之间的长,所述浮动块宽度的大约10%到20%之间的外围边缘的平行片段间的宽。
16.如权利要求1所述的浮动块,其中所述交径通道具有所述浮动块宽度大约25%到75%之间的横向长度。
17.如权利要求1所述的浮动块,其中所述ABS平面和背表面之间的厚度在大约0.16到0.3毫米之间。
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