[发明专利]分子检测与鉴别的多接面结构的光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

具有一第一导电型杂质的一基材；

具有该第一导电型杂质的一磊晶层，配置于该基材上；

具有一第二导电型杂质的一深井区，配置于该磊晶层中；

具有该第一导电型杂质的一第一井区，配置于该深井区中，该第一井区的三边与该磊晶层相接；

具有该第二导电型杂质的一第二井区，配置于该第一井区中；

具有该第一导电型杂质的一第三井区，配置于该第二井区中，该第三井区的三边与该磊晶层相接；以及

具有该第二导电型杂质的一第一掺杂区，配置于该第三井区中。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括具有该第二导电型杂质的一第四井区，配置于该第二井区中，其中该第四井区的掺杂浓度大于该第二井区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括具有该第二导电型杂质的一第五井区，配置于该深井区中，其中该第五井区的掺杂浓度大于该深井区的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括具有该第一导电型杂质的一第六井区，对应该深井区的外缘而配置于该磊晶层中。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括具有该第二导电型杂质的一第七井区，对应该第六井区的外缘而配置于该磊晶层中。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，还包括具有该第一导电型杂质的一第二掺杂区，配置于该深井区的顶部中。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其中当该第一导电型杂质为p型时，该第二导电型杂质为n型；当该第一导电型杂质为n型时，该第二导电型杂质为p型。

8.一种半导体元件，其特征在于，包括：

具有一第一导电型杂质的一基材；

具有该第一导电型杂质的一磊晶层，配置于该基材上；

具有一第二导电型杂质的一深井区，配置于该磊晶层中；

具有该第一导电型杂质的一第一层区及一第二层区，配置于该深井区中，且该第一层区及该第二层区各自的三边与该磊晶层相接，其中该第二层区位于该第一层区上方且互不相连；

具有该第一导电型杂质的至少一第三层区，配置于该深井区中，其中该第三层区位于该第一层区上方，以将该第一层区连接至该磊晶层上表面；以及

具有该第一导电型杂质的一第四层区，配置于该深井区中，其中该第四层区位于该第二层区上方，以将该第二层区连接至该磊晶层上表面。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，还包括具有该第二导电型杂质的一第一掺杂区，配置于该深井区中，其中该第一掺杂区位于该第二层区上方，且该第一掺杂区的掺杂浓度大于该深井区的掺杂浓度。

10.根据权利要求8所述的半导体元件，还包括具有该第二导电型杂质的至少一第一井区，配置于该深井区中，其中该第一井区的掺杂浓度大于该深井区的掺杂浓度。

11.根据权利要求8所述的半导体元件，还包括具有该第一导电型杂质的一第二井区，对应该深井区的外缘而配置于该磊晶层中。

12.根据权利要求8所述的半导体元件，还包括具有该第二导电型杂质的一第三井区，对应该第二井区的外缘而配置于该磊晶层中。

13.根据权利要求8所述的半导体元件，还包括具有该第一导电型杂质的一第二掺杂区，配置于该深井区的顶部中。

14.根据权利要求8所述的半导体元件，其中当该第一导电型杂质为p型时，该第二导电型杂质为n型；当该第一导电型杂质为n型时，该第二导电型杂质为p型。