[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，所述存储装置包括：

多个存储元件，所述多个存储元件的电阻状态根据施加电压的极性而发生反转变化；以及

驱动部，所述驱动部选择性地将作为驱动对象的存储元件的电阻状态从低电阻状态变为高电阻状态或从所述高电阻状态变为所述低电阻状态，

其中，在用于将所述存储元件的电阻状态从所述低电阻状态和所述高电阻状态中的一个电阻状态变为另一个电阻状态的第一操作与用于将所述存储元件的电阻状态从所述另一个电阻状态变为所述一个电阻状态的第二操作中，在执行所述第一操作中，

所述驱动部进行步进操作，在所述步进操作中，所述驱动部反复进行至少一次如下步骤：进行强加载步骤并随后进行弱加载步骤，所述强加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对强地进行所述第一操作的加载，所述弱加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对弱地进行所述第二操作的加载，并且

所述驱动部在完成所述反复进行至少一次的步骤之后，接着进行所述强加载步骤。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

所述第一操作是用于将所述存储元件的电阻状态从作为所述一个电阻状态的所述高电阻状态变为作为所述另一个电阻状态的所述低电阻状态的设定操作，

所述第二操作是用于将所述存储元件的电阻状态从所述低电阻状态变为所述高电阻状态的复位操作，并且在执行所述设定操作中，

所述驱动部进行步进操作，在所述步进操作中，所述驱动部反复进行至少一次如下步骤：进行强设定加载步骤作为所述强加载步骤并随后进行弱复位加载步骤作为所述弱加载步骤，所述强设定加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对强地进行所述设定操作的加载，所述弱复位加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对弱地进行所述复位操作的加载，并且

所述驱动部在完成所述反复进行至少一次的步骤之后，接着进行所述强设定加载步骤。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，

所述第一操作是用于将所述存储元件的电阻状态从作为所述一个电阻状态的所述低电阻状态变为作为所述另一个电阻状态的所述高电阻状态的复位操作，

所述第二操作是用于将所述存储元件的电阻状态从所述高电阻状态变为所述低电阻状态的设定操作，并且在执行所述复位操作中，

所述驱动部进行步进操作，在所述步进操作中，所述驱动部反复进行至少一次如下步骤：进行强复位加载步骤作为所述强加载步骤并随后进行弱设定加载步骤作为所述弱加载步骤，所述强复位加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对强地进行所述复位操作的加载，所述弱设定加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对弱地进行所述设定操作的加载，并且

所述驱动部在完成所述反复进行至少一次的步骤之后，接着进行所述强复位加载步骤。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储装置，其中，所述驱动部在执行所述第一操作和执行所述第二操作中均进行所述步进操作。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，在执行所述第一操作和执行所述第二操作中均进行所述步进操作的第一模式与在执行所述第一操作或执行所述第二操作中不进行所述步进操作的第二模式是可切换的。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的存储装置，其中，所述驱动部在执行所述第一操作和执行所述第二操作的其中一者中进行所述步进操作。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的存储装置，其中，用于进行所述第一操作的加载和用于进行所述第二操作的加载分别包括强加载和比所述强加载弱的弱加载。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的存储装置，其中，所述存储元件依次设置有第一电极、存储层和第二电极，并且

在所述存储层中，所述存储层的电阻状态根据所述第一电极与所述第二电极之间施加的电压的极性而反转变化。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，所述存储层具有设置于所述第一电极侧的电阻变化层和设置于所述第二电极侧的离子源层。