[发明专利]一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法有效
申请号: | 201210022507.8 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN102544266A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 俞国宏 | 申请(专利权)人: | 俞国宏 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 332000 江西省九江*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高光效 白光 led 倒装 芯片 制作方法 | ||
1.一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法,该制作方法中涉及的未制作前芯片的层结构从下至上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)以及金属层(11),该制作方法包括以下步骤:
步骤1、将LED倒装芯片蚀刻成梯台结构,并暴露环形N型层(3)用于后续步骤中形成N型电极;
步骤2、在梯台结构上蚀刻出环形N型电极形成区和柱形P型电极形成区;
步骤3、为了实现N型电极与倒装芯片各层之间的导电隔离,在梯台结构外壁上形成绝缘介质膜(16);
步骤4、在柱形P型电极形成区上形成P型电极光穿透层ITO薄膜(192),在P型电极光穿透层ITO薄膜(192)上设置P型电极金属合金层(24)最终形成P型电极;在环形N型电极形成区形成区上形成N型电极光穿透层ITO薄膜(191),所述N型电极光穿透层ITO薄膜(191)为阶梯结构,阶梯结构下部与倒装芯片的N型层(3)暴露区连接;阶梯结构上部铺设在金属层(11)和梯台结构外壁的绝缘介质膜(16)上,阶梯结构中部通过梯台结构外壁上形成绝缘介质膜(16)与P型电极隔离,在N型电极光穿透层ITO薄膜(191)阶梯结构上部设置N型电极金属合金层(23)并最终形成N型电极;
步骤5、在衬底(1)表面形成纳米荧光粉层(28)。
2.根据权利要求1所述高光效白光LED倒装芯片的制作方法,其特征在于,步骤1包括以下具体分步骤:
步骤11、金属层(11)表面涂布第一光刻胶层(13);
步骤12、LED倒装芯片周边的第一光刻胶层(13)通过曝光或显影方式去除,并且形成环形暴露区;
步骤13、环形暴露部分的N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11)以及部分的N型层(3)去除使得整个倒装LED芯片形成梯台结构;
步骤14、将LED倒装芯片中间剩余的第一光刻胶层(13)全部去除。
3.根据权利要求1或2所述高光效白光LED倒装芯片的制作方法,其特征在于,步骤2包括以下具体分步骤:
步骤21、在步骤14所得倒装芯片的表面涂布第二光刻胶层(14);
步骤22、将LED倒装芯片梯台结构上的部分第二光刻胶层(14)通过曝光或显影方式去除,并且形成环形金属层暴露区;
步骤23、将暴露部分的金属层(11)和二氧化硅层(10)去除,形成环形凹槽;
步骤24、将LED倒装芯片剩余的第二光刻胶层(14)全部去除,最终形成环形N型电极形成区和柱形P型电极形成区。
4.根据权利要求1所述高光效白光LED倒装芯片的制作方法,其特征在于,步骤3包括以下具体分步骤:
步骤301、在步骤24所得LED倒装芯片的表面涂布第三光刻胶层(15);
步骤302、去除部分第三光刻胶层(15)形成梯台外壁暴露区以及在梯台上形成环形暴露区;
步骤303、在步骤32所得LED倒装芯片的表面直接制备一层绝缘介质膜(16);
步骤304、在步骤32所得LED倒装芯片的表面涂布第四光刻胶层(17);
步骤305、去除部分第四光刻胶层(17),仅保留梯台外壁垂直涂布的第四光刻胶层(17);
步骤306、除去部分绝缘介质膜(16),仅保留梯台外壁垂直布置的绝缘介质膜(16)和梯台上环形凹槽中的绝缘介质膜(16);
步骤307、去除剩余所有的第三光刻胶层(15)和第四光刻胶层(17);
步骤308、在步骤37所得LED倒装芯片的表面涂布第五光刻胶层(18);
步骤309、将梯台上环形凹槽上方的第五光刻胶层(18)去除,并且形成环形绝缘介质膜暴露区;
步骤310、将梯台上环形凹槽中的环形绝缘介质膜(16)完全去除;
步骤311、去除剩余所有的第五光刻胶层(18)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于俞国宏,未经俞国宏许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210022507.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。