[发明专利]一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法有效

专利信息
申请号: 201210022507.8 申请日: 2012-02-01
公开(公告)号: CN102544266A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 俞国宏 申请(专利权)人: 俞国宏
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 332000 江西省九江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 高光效 白光 led 倒装 芯片 制作方法
【权利要求书】:

1.一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法,该制作方法中涉及的未制作前芯片的层结构从下至上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)以及金属层(11),该制作方法包括以下步骤:

步骤1、将LED倒装芯片蚀刻成梯台结构,并暴露环形N型层(3)用于后续步骤中形成N型电极;

步骤2、在梯台结构上蚀刻出环形N型电极形成区和柱形P型电极形成区;

步骤3、为了实现N型电极与倒装芯片各层之间的导电隔离,在梯台结构外壁上形成绝缘介质膜(16);

步骤4、在柱形P型电极形成区上形成P型电极光穿透层ITO薄膜(192),在P型电极光穿透层ITO薄膜(192)上设置P型电极金属合金层(24)最终形成P型电极;在环形N型电极形成区形成区上形成N型电极光穿透层ITO薄膜(191),所述N型电极光穿透层ITO薄膜(191)为阶梯结构,阶梯结构下部与倒装芯片的N型层(3)暴露区连接;阶梯结构上部铺设在金属层(11)和梯台结构外壁的绝缘介质膜(16)上,阶梯结构中部通过梯台结构外壁上形成绝缘介质膜(16)与P型电极隔离,在N型电极光穿透层ITO薄膜(191)阶梯结构上部设置N型电极金属合金层(23)并最终形成N型电极;

步骤5、在衬底(1)表面形成纳米荧光粉层(28)。

2.根据权利要求1所述高光效白光LED倒装芯片的制作方法,其特征在于,步骤1包括以下具体分步骤:

步骤11、金属层(11)表面涂布第一光刻胶层(13);

步骤12、LED倒装芯片周边的第一光刻胶层(13)通过曝光或显影方式去除,并且形成环形暴露区;

步骤13、环形暴露部分的N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)、金属层(11)以及部分的N型层(3)去除使得整个倒装LED芯片形成梯台结构;

步骤14、将LED倒装芯片中间剩余的第一光刻胶层(13)全部去除。

3.根据权利要求1或2所述高光效白光LED倒装芯片的制作方法,其特征在于,步骤2包括以下具体分步骤:

步骤21、在步骤14所得倒装芯片的表面涂布第二光刻胶层(14);

步骤22、将LED倒装芯片梯台结构上的部分第二光刻胶层(14)通过曝光或显影方式去除,并且形成环形金属层暴露区;

步骤23、将暴露部分的金属层(11)和二氧化硅层(10)去除,形成环形凹槽;

步骤24、将LED倒装芯片剩余的第二光刻胶层(14)全部去除,最终形成环形N型电极形成区和柱形P型电极形成区。

4.根据权利要求1所述高光效白光LED倒装芯片的制作方法,其特征在于,步骤3包括以下具体分步骤:

步骤301、在步骤24所得LED倒装芯片的表面涂布第三光刻胶层(15);

步骤302、去除部分第三光刻胶层(15)形成梯台外壁暴露区以及在梯台上形成环形暴露区;

步骤303、在步骤32所得LED倒装芯片的表面直接制备一层绝缘介质膜(16);

步骤304、在步骤32所得LED倒装芯片的表面涂布第四光刻胶层(17);

步骤305、去除部分第四光刻胶层(17),仅保留梯台外壁垂直涂布的第四光刻胶层(17);

步骤306、除去部分绝缘介质膜(16),仅保留梯台外壁垂直布置的绝缘介质膜(16)和梯台上环形凹槽中的绝缘介质膜(16);

步骤307、去除剩余所有的第三光刻胶层(15)和第四光刻胶层(17);

步骤308、在步骤37所得LED倒装芯片的表面涂布第五光刻胶层(18);

步骤309、将梯台上环形凹槽上方的第五光刻胶层(18)去除,并且形成环形绝缘介质膜暴露区;

步骤310、将梯台上环形凹槽中的环形绝缘介质膜(16)完全去除;

步骤311、去除剩余所有的第五光刻胶层(18)。

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