[发明专利]CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器至少包括：

形成于半导体衬底的第一光电区及第二光电区，分别用于基于所感测的光信号来产生相应电荷；

形成于所述半导体衬底的浮置扩散区，用于收集来自所述第一光电区或第二光电区的电荷；

形成于所述半导体衬底的存储区，用于存储所述第一光电区所产生的电荷；

形成于所述半导体衬底的复位晶体管区，其包含栅电极，用于基于所接入的复位信号使所述浮置扩散区复位；

连接所述第一光电区与存储区的第一电极，用于接入第一控制信号，以便所述第一光电区的电荷基于第一控制信号运动至所述存储区；

连接所述第二光电区及浮置扩散区的第二电极，用于接入第二控制信号，以便所述第二光电区的电荷基于第二控制信号运动至所述浮置扩散区；以及

连接所述存储区与浮置扩散区的第三电极，用于接入第三控制信号，以便使所述第一光电区的电荷基于第三控制信号运动至所述浮置扩散区。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第二光电区的结构包括基于所感测的弱光信号来产生相应电荷的结构。

3.根据权利要求1或2所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第二光电区的结构为PIN结构。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述PIN结构中的相邻P型子区和N型子区之间的间隔距离不大于所述半导体衬底的少子扩散长度。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于：每一P型子区的宽度在10nm-500nm。

6.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于：每一N型子区的宽度在10nm-500nm。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述第一光电区包括钉扎光电二极管的结构。

8.一种CMOS图像传感电路系统，其特征在于：所述CMOS图像传感电路系统至少包括：

基于权利要求1至7任一项所述的CMOS图像传感器；

信号读取单元，用于读取所述CMOS图像传感器输出的因第一光电区所感测的光信号所生成的第一电信号、或读取所述CMOS图像传感器输出的因第二光电区所感测的光信号所生成的第二电信号；

输出单元，用于基于第二电信号来判断所读取的所述第二光电区的光电二极管是否处于饱和区，并当所述第二光电区的光电二极管未处于饱和区时，将所读取的第二电信号作为所述CMOS图像传感器的输出信号予以输出；否则将所读取的第一电信号作为所述CMOS图像传感器的输出信号予以输出。