[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210022961.3 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102646683A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;黄国东;田香军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第一薄膜晶体管的有源层和第二薄膜晶体管的有源层材质包括氧化物半导体。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为顶栅型或底栅型。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板应用于TFT-LCD面板或AMOLED面板。
6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在衬底板上的设定位置形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：
A、形成材质包括氧化物半导体的有源层图形；
B、对形成有源层图形的基板进行掩模，调整基板设定位置的有源层的氧含量，形成具有较高氧含量的第一薄膜晶体管的有源层和具有较低氧含量的第二薄膜晶体管的有源层。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体为铟镓锌氧化物或铪铟锌氧化物。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括气体氛围处理，所述气体氛围处理所采用的气体包括还原性气体或氧化性气体，处理方式包括热退火或等离子体轰击。
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括液体氛围处理，所述液体氛围处理所采用的液体包括还原性液体或氧化性液体，处理方式包括化学反应或元素扩散。
11.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述调整基板设定位置的有源层的氧含量包括固体氛围处理，所述固体氛围处理所采用的固体包括还原性固体或氧化性固体，处理方式包括化学反应或元素扩散。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
