[发明专利]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching，平面方向转换)模式和ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术，简称ADS)模式等。其中，ADS模式是一种能够扩宽视角的液晶显示模式，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

如图1所示，现有的ADS模式液晶显示面板的像素结构在像素正常驱动状态下，通过像素电极21(可视为板状电极)和公共电极22(可视为狭缝电极)之间的电压差形成多维电场，可以很好的控制液晶分子的动作，从而实现黑白和灰度的显示。然而，如图2和图3所示，由于电极本身的设计，狭缝电极上方的电场水平分量较大，偏振光很容易通过液晶的水平偏转透过面板，具有较高的透光效率，而远离狭缝电极的地方(即狭缝上方)由于电场的垂直分量较大，透光效率较低，因而面板的整体透光效率较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及显示装置，用以解决现有的液晶显示面板透光效率整体较低的技术问题。

本发明阵列基板，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一透明导电层、绝缘层和第二透明导电层，其中所述第二透明导电层具有多个狭缝结构，所述第一透明导电层具有与所述多个狭缝结构相对应的凸起，所述凸起的高度小于所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的间距。

优选的，所述凸起的高度以第一透明导电层和第二透明导电层间距的二分之一为中心值，并位于设定偏差范围内。

较佳的，所述凸起的截面形状为等腰梯形。

较佳的，所述等腰梯形的底角小于等于60度。

优选的，每个所述狭缝结构与至少一个所述凸起相对应。

可选的，所述凸起为实心凸起；或者，所述凸起为由所述第一透明导电层的薄膜弯曲形成的空心凸起。

较佳的，所述多个狭缝结构中每相邻两个狭缝结构的间隔相同；所述与狭缝结构相对应的凸起中每相邻两个凸起的间隔相同。

可选的，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极。

或者，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明导电层为像素电极。

本发明显示装置，包括如前述技术方案中任一项所述的阵列基板。

在本发明方案中，由于第二透明导电层具有多个狭缝结构，第一透明导电层具有与多个狭缝结构相对应的凸起，凸起的高度小于第一透明导电层和第二透明导电层的间距，这样可使狭缝结构上方电场的水平分量大大增加，大大提高了面板的透光效率；另外，凸起的设计也使第一透明导电层的表面积大大增加，从而使第一透明导电层与第二透明导电层形成的电场强度增加，在提高透光效率的同时，功耗有一定程度的降低。

附图说明

图1为现有ADS模式的液晶显示面板像素结构剖面示意图；

图2为软件模拟的现有ADS模式的液晶显示面板在剖面处的像素透过率图；

图3为软件模拟的现有ADS模式的液晶显示面板在剖面处的电场分布图；

图4为本发明显示装置像素结构剖面示意图；

图5为软件模拟的本发明显示装置在剖面处的像素透过率图；

图6为软件模拟的本发明显示装置在剖面处的电场分布图；

图7为本发明显示装置与现有ADS模式的液晶显示面板在剖面处的电场示意图；

图8为软件模拟的本发明显示装置与现有ADS模式的液晶显示面板在剖面处的电压-透光效率曲线图。

附图标记说明：

1-第一绝缘层                21-像素电极