[发明专利]基于铌酸锂光子线的光极化分裂器

权利要求书

1.一种基于LN光子线的光极化分裂器，其特征在于，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条平行的铌酸锂光波导组成，其中，两条平行的铌酸锂光波导的高度均为0.73μm，波导的顶部宽度均为0.5μm；构成该极化分裂器的两条平行的光波导的轴间距S_c＝0.74μm，耦合长度L_c＝49.28μm。

2.如权利要求1所述的基于LN光子线的光极化分裂器，其特征在于，所述的铌酸锂基底厚度为1μm，二氧化硅覆层厚度为1.3μm。

3.权利要求1所述的基于LN光子线的光极化分裂器的制备方法，其特征在于，该方法首先制作基于绝缘体的铌酸锂样本，样本包括直接黏附在1.3微米厚的二氧化硅层上的730纳米厚的单晶LN层，二氧化硅层是经过用等离子体增强化学气相沉积法涂敷在全等的Z切铌酸锂基底的Z面，即LN薄膜与厚度为1um的LN基底有全等的晶体取向；LN薄膜的表面用化学机械抛光工艺处理后达到0.5纳米的rms粗糙度；然后将1.7μm厚和0.5μm宽的光阻条带用作刻蚀掩膜，光阻在120℃下经过1个小时的退火，接着，在Oxford Plasmalab System100内，用100W射频功率诱导地耦合成为等离子体，和70W射频功率耦合至样本表面，经60分钟氩铣蚀刻，端面抛光，即得。