[发明专利]具有叠合透明电极的半导体发光装置有效

专利信息
申请号: 201210023671.0 申请日: 2007-04-09
公开(公告)号: CN102569587A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 欧震;徐宸科 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/42 分类号: H01L33/42;H01L33/38
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 叠合 透明 电极 半导体 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体发光装置,包含:

半导体层;

第一接点,位于该半导体层的上;

第二接点,位于该半导体层的上;以及

金属氧化物层,其面积大于该第一接点的面积,并包含第一电流分散区段及第二电流分散区段,其中该第一电流分散区段及第二电流分散区段分别自该第一接点向外延伸并朝向该第二接点的方向。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置,还包含:

延伸区段,自该第二接点朝向该第一接点的方向延伸。

3.如权利要求2所述的半导体发光装置,其中该第一电流分散区段及该第二电流分散区段包含直线、曲线、或二者的结合。

4.如权利要求2所述的半导体发光装置,其中该第一电流分散区段及该第二电流分散区段的间隙介于1μm~500μm。

5.如权利要求2所述的半导体发光装置,其中该第一电流分散区段及该第二电流分散区段形成近似U型的弧线。

6.一种半导体发光装置,包含:

半导体层,具有第一侧及第二侧;

接点,位于该半导体层的该第一侧;

电极,位于该半导体层的该第二侧;

环绕区段,位于该第一侧;以及

穿越区段,连接至该接点并朝该半导体层的一边界方向延伸;

其中该环绕区段及该穿越区段的材料包含透明金属氧化物。

7.如权利要求6所述的半导体发光装置,其中该穿越区段自该接点向外延伸并穿过该环绕区段。

8.如权利要求6所述的半导体发光装置,其中该环绕区段及该穿越区段并未实体连接。

9.如权利要求6所述的半导体发光装置,其中该环绕区段环绕该接点。

10.如权利要求6所述的半导体发光装置,其中该环绕区段辐射对称或左右对称于该接点。

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