[发明专利]压电振荡器

说明书

技术领域

本发明涉及使用了反射元件的压电振荡器，特别涉及使用反射元件的反射特性来进行高频化、频率稳定化的压电振荡器。

背景技术

[以往的技术]

在压电振荡器中，有科尔皮兹型、皮尔斯型等电路。

以往的振荡器使用对谐振器的相位进行控制而使之振荡的电路来控制其频率。

对于以往的压电振荡器，说明科尔皮兹电路的晶体振荡电路和逆变器电路的晶体振荡电路。

[科尔皮兹型晶体振荡电路：图13]

参照图13，说明以往的科尔皮兹型晶体振荡电路。图13是以往的科尔皮兹型晶体振荡电路的电路图。

以往的科尔皮兹型晶体振荡电路如图13所示，晶体振子X的一端连接到振荡用的晶体管Tr的基极，晶体振子X的另一端接地。

另外，在晶体管Tr的集电极上经由电阻Rc施加电源电压V并且经由电容器设置有输出端子(OUTPUT)。

另外，晶体管Tr的发射极经由电阻RE接地。

在晶体管Tr的基极上经由电阻RA施加电源电压V，该基极经由电阻RB接地。

进而，在该基极上连接有电容C1、C2的串联连接的一端，另一端被接地，电容C1与电容C2之间的点连接到发射极。

通过以上结构的以往的科尔皮兹型晶体振荡电路进行振荡动作。

[逆变器型晶体振荡电路：图14]

参照图14，说明以往的逆变器型晶体振荡电路。图14是以往的逆变器型晶体振荡电路的电路图。

以往的逆变器型晶体振荡电路如图14所示，在逆变器IC的输入侧连接有晶体振子X的一端，在逆变器IC的输出侧连接有晶体振子X的另一端，进而输入侧和输出侧经由电阻RF连接。

在输入侧连接有电容Cg的一端，另一端被接地，在输出侧连接有电容Cd的一端，另一端被接地，在输出侧设置有输出端子(OUTPUT)。

通过以上的结构的以往的逆变器型晶体振荡电路进行振荡动作。

[关联技术]

另外，作为关联的现有技术，有日本特开2000-082922号公报“压电振荡器”(东洋通信机株式会社)[专利文献1]、日本特开2000-295037号公报“高稳定度压电振荡器”(东洋通信机株式会社)[专利文献2]、日本实开平01-074616号公报“微波振荡电路”(富士电气化学株式会社)[专利文献3]、日本特开平10-112612号公报“高频振荡电路”(株式会社村田制作所)[专利文献4]、日本特开2008-157751号公报“感知装置”(日本电波工业株式会社)[专利文献5]。

进而，作为非专利文献，有“INTERNATIONAL STANDARD，Waveguide type dielectric resonators Part 2：Guidelines for oscillator and filter applications，IEC 61338-2，First edition 2004-05，International Electrotechnical Commission”[非专利文献1]和“电子信息通信学会“知识基础”9群-7编-5章(ver.1/2010.7.22)能动电路元件5-1-4FET振荡器的一般结构”[非专利文献2]。

在专利文献1、2中，公开了在压电振荡器中，对晶体管的基极连接串联谐振电路，并在基极·发射极之间连接并联谐振电路。

在专利文献3中，公开了在微波振荡电路中，组合使用了电介质的反馈部和放大器，在放大器的输出侧设置使基波反射的反射部，而使基波回到反馈部来输出高频。

在专利文献4中，公开了在高频振荡电路中，通过输出滤波器设定振荡条件。

另外，在专利文献5中，公开有为了使压电振子振荡，具备对压电振子供给振荡驱动电力以使驱动电流小于等于0.3mA的振荡电路的感知装置。

进而，在非专利文献1中，记载有反射型的振荡器的例子。

另外，在非专利文献2中，公开有使用了FET晶体管的振荡电路的一般结构。

【专利文献1】日本特开2000-082922号公报

【专利文献2】日本特开2000-295037号公报

【专利文献3】日本实开平01-074616号公报

【专利文献4】日本特开平10-112612号公报

【专利文献5】日本特开2008-157751号公报