[发明专利]半导体装置及使用了该半导体装置的装置无效

专利信息
申请号: 201210023895.1 申请日: 2012-02-03
公开(公告)号: CN102646723A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 寺川武士;松吉聪;成田一丰;森睦宏 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H02K11/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宝荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 使用
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备肖特基结和pn结,其特征在于,

所述pn结设置在整流区域和护圈部,

所述整流区域的pn结部的击穿电压比所述肖特基结及所述护圈部的pn结低。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述整流区域的pn结部将具有p或n中的任一种导电型的第一扩散层和与该p或n中的任一种导电型相反的导电型的层接合,所述整流区域的pn结部的接合面中,在所述相反的导电型的层的一侧具备第二扩散层,该第二扩散层为与该相反的导电型的层相同的导电型,且杂质浓度比该相反的导电型的层高。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

所述整流区域的pn结部存在有多个。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

在构成所述肖特基结的接合面的半导体侧还设有pn结。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

在所述护圈部的外侧配置有沟道截断环。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

构成所述肖特基结的接合面的半导体侧的薄片电阻为40kΩ/□以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

构成所述肖特基结的电极为MoSi2

8.一种交流发电机二极管,具备权利要求1至7中任一项所述的半导体装置和设置在该半导体装置的两端的电极,其特征在于,

利用焊料将所述半导体装置与所述电极连接,

所述半导体装置及所述焊料被树脂密封。

9.根据权利要求8所述的交流发电机二极管,其特征在于,

还具备支承所述半导体装置及所述树脂的支承体,

该支承体具备用于保持所述树脂的槽。

10.一种旋转电机系统,其特征在于,具备:

旋转电机,其具备转子及隔开规定的间隙与该转子对置配置的定子;

整流用的二极管,其与设置在所述定子上的定子绕组连接,且具有将交流电流切换为直流电流的权利要求1至7中任一项所述的半导体装置。

11.根据权利要求10所述的旋转电机系统,其特征在于,

所述定子具有转子绕组,该转子绕组具备对施加给该转子绕组的电压进行控制的调节器,

该调节器与所述二极管的直流侧电连接。

12.一种车辆,其特征在于,具备:

权利要求10或11所述的回转电机系统;

与该回转电机系统电连接的负载。

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