[发明专利]硅腐蚀局部终止层制作方法

权利要求书

1.一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：

在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；

对双槽结构底部进行垂直离子注入；

执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺杂区包围硅基热沉的底部，构成硅腐蚀局部终止层。

2.根据权利要求1的方法，其中，双槽结构深度大于20μm。

3.根据权利要求1的方法，其中，在衬底中形成双槽结构的步骤进一步包括：提供衬底；在衬底上形成掩膜层；光刻/刻蚀掩膜层以及衬底，在衬底中形成双槽结构。

4.根据权利要求3的方法，其中，掩膜层包括氧化物、氮化物、氮氧化物、光刻胶。

5.根据权利要求1的方法，其中，注入的离子包括硼。

6.根据权利要求1的方法，其中，注入能量为50KeV～500KeV，注入剂量为1E15atom/cm²～1E16atom/cm²。

7.根据权利要求1的方法，其中，执行高温激活和扩散工艺的步骤中，温度为1000℃～1100℃，扩散时间为1h～8h 。

8.根据权利要求1的方法，其中，重掺杂区的离子浓度高于2E19atom/cm³。

9.一种双槽硅基热沉释放方法，包括：

采取如权利要求1所述的方法，在衬底中双槽结构底部形成硅腐蚀局部终止层；

在双槽结构中形成抗腐蚀材料以及填充材料；

采用湿法刻蚀液从背面释放衬底直至硅腐蚀局部终止层；

对衬底和双槽结构背面旋涂抗腐蚀溶液胶；

对衬底和双深槽结构进行正面开腐蚀孔和湿法释放工艺，并去除抗腐蚀溶液胶，实现硅基热沉的释放。

10.根据权利要求9的方法，其中，抗腐蚀材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，填充材料包括多晶硅、非晶硅、微晶硅。