[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：

衬底；

形成于所述衬底中的深阱以及形成于所述深阱上并与所述深阱相接触的浅阱，所述深阱和浅阱的掺杂类型相反；

刻蚀所述浅阱和部分厚度的深阱形成的凹槽；

形成于所述浅阱中的漏极；

形成于所述凹槽中且位于所述漏极两侧的栅极；

形成于所述栅极下方的深阱中的源极，所述漏极和源极的掺杂类型与所述浅阱的掺杂类型相同，且所述漏极和源极的掺杂浓度大于所述浅阱的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述深阱为P阱，所述浅阱为N阱。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述深阱为N阱，所述浅阱为P阱。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述的漏极厚度范围为50nm～80nm。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述的浅阱厚度范围为20nm～250nm。

6.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底中依次形成深阱和与所述深阱相接触的浅阱；

刻蚀所述浅阱和部分厚度的深阱形成凹槽；

在所述凹槽中形成栅极；

进行离子注入在所述浅阱中形成漏极，并在所述栅极下方的深阱中形成源极，所述漏极和源极的掺杂类型与所述浅阱的掺杂类型相同，且所述漏极和源极的掺杂浓度大于所述浅阱的掺杂浓度。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底中依次形成深阱和浅阱之后，还包括：在所述衬底上依次形成缓冲层和掩膜层。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述衬底中依次形成深阱和浅阱之前，还包括：在所述衬底上依次形成缓冲层和掩膜层。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述缓冲层为氧化硅，所述掩膜层为氮化硅。

10.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度大于缓冲层的厚度。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成凹槽的刻蚀步骤中，刻蚀去除的深阱的厚度范围为50nm～200nm。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述凹槽中形成栅极的步骤包括：

在所述凹槽的底部和侧壁形成隔离层；

去除所述凹槽底部的隔离层；

在所述凹槽和掩膜层上依次形成栅氧化层和多晶硅薄膜；

刻蚀所述栅氧化层和多晶硅薄膜以在所述凹槽中形成栅极。