[发明专利]应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法有效
| 申请号： | 201210024934.X | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103241706A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应力 匹配 材料 悬臂梁 制造 方法 | ||
1.一种应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法，包括：
在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；
对压应力SiO2膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO2膜；
退火使得压应力SiO2膜转变为应力为F2的张应力SiO2膜，F2＞0；
控制淀积温度，在重掺杂SiO2膜上方形成具有应力为F3的Al薄膜，其中F3＝F2。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，采用LPCVD工艺，利用TEOS热分解，在衬底上生长压应力SiO2膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，F1为-120M Pa～-20MPa。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，注入能量为10KeV～30KeV，注入剂量为5E14～3E15。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，注入离子种类包括磷、砷、碳、氮、氧、氟。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，退火温度为750℃～800℃，退火时间为1h～4h。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，F2为0～200M Pa。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，Al膜淀积温度为25℃～400℃。
9.一种应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法，包括；
在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；
控制淀积温度，在压应力SiO2膜上方形成具有应力为F3的Al薄膜，其中F3＝F1。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，Al膜淀积温度为25℃～400℃。
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