[发明专利]一种空间成像套刻检验方法及阵列基板有效

专利信息
申请号: 201210025005.0 申请日: 2012-02-06
公开(公告)号: CN102636962A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 姜晓辉;郭建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00;H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 空间 成像 检验 方法 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及光刻工艺领域,尤其涉及一种空间成像套刻检验方法及阵列基板。

背景技术

ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch),简称ADS,即高级超维场转换技术是目前液晶领域为解决大尺寸、高清晰度桌面显示器和液晶电视应用而开发的广视角技术,由于具有宽视角、高开口率、低功耗高亮度等优势,应用越来越广泛。其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

目前制造TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板的工艺中需经过多道光刻工序,为确保每道光刻工序的正确,需通过空间成像套刻(Overlay)检验来确保上述多道光刻工序之间的对准精度。Overlay检验通常是利用光罩上的Overlay标记在光刻所形成的薄膜层上面形成Overlay标记图形,并通过比对相邻薄膜层上的Overlay标记图形的偏移来有效地检测出两道光刻工序间的对准状况。因此,精确的对准相邻两薄膜层上面的Overlay标记图形是保证Overlay检验精确度的关键。

以目前的一种ADS模式的TFT-LCD阵列基板的制造过程为例,第一次光刻在玻璃基板上形成一层ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)导电膜,第二次光刻要在ITO薄膜层表面再形成一层金属栅极Gate薄膜层。但是由于ITO薄膜是一种透明导电薄膜,并且在进行Gate薄膜层与ITO薄膜层间的Overlay检验之前,ITO薄膜层表面的光刻胶(光刻胶一般为非透明色,其上面的Overlay标记图形比较清晰)就已经被剥离,因此,在Gate薄膜层与ITO薄膜层间进行Overlay检验时,往往由于ITO薄膜层的透明而导致不能准确地定位ITO薄膜层上的Overlay标记图形,使得Overlay检验的耗时较长。

发明内容

本发明提供一种空间成像套刻检验方法及阵列基板,用以解决现有的空间成像套刻检验技术中,由于光刻形成的薄膜为透明薄膜,而不能快速准确的定位空间成像套刻标记的问题。

本发明提供一种空间成像套刻检验方法,包括:

光刻形成一层具有空间成像套刻标记的薄膜;

在所述薄膜为透明薄膜时,对所述透明薄膜上的空间成像套刻标记作显色处理,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色;

利用所述非透明色的空间成像套刻标记,进行所述透明薄膜与相邻的薄膜之间的空间成像套刻检验。

优选地,对所述透明薄膜上的空间成像套刻标记作显色处理,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色,包括:

在经过真空处理后的环境中向所述透明薄膜上的空间成像套刻标记所在的区域喷射气体,所述气体能够与所述空间成像套刻标记发生雾化反应,使所述发生雾化反应后的空间成像套刻标记显示出非透明色。

优选地,对所述透明薄膜上面的空间成像套刻标记作显色处理,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色,包括:

对所述透明薄膜上的空间成像套刻标记所在的区域喷射染料,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色。

优选地,所述透明薄膜为铟锡氧化物ITO透明薄膜。

优选地,所述ITO透明薄膜是通过光刻工艺形成,所述空间成像套刻标记位于所述ITO透明薄膜的非显示区域。

优选地,对所述透明薄膜上的空间成像套刻标记作显色处理,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色,具体包括:

在经过真空处理后的环境中,采用向所述透明薄膜上的空间成像套刻标记所在的区域喷射气体的方式,使所述空间成像套刻标记显示出非透明色时,所述气体为氨气NH3气体和硅烷SiH4气体。

优选地,所述真空处理为向环境中充入氮气N2,则所述充入的N2气体与所述喷射的NH3气体、SiH4气体的比例为:

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