[发明专利]液处理装置及液处理方法有效
申请号: | 201210025741.6 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN102629563A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 东岛治郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及通过一边使基板以保持为水平状态的状态旋转、一边向该基板供给处理液来对基板进行清洗处理、蚀刻处理、电镀处理、显影处理等液处理的液处理装置及液处理方法。
背景技术
以往,作为通过一边使半导体晶圆等基板(以下也称作晶圆)以保持为水平状态的状态旋转、一边向该基板的表面、背面供给处理液来对基板进行清洗处理、蚀刻处理、电镀处理、显影处理等液处理的液处理装置,公知有各式种类的装置(例如,参照专利文献1等)。在专利文献1中公开有一种利用旋转吸盘将基板水平地保持而使其旋转并向由旋转吸盘保持而旋转的基板的表面供给处理液这样的、逐张处理基板的单张式的液处理装置。另外,公知有这样的技术:在这样的单张式的液处理装置中,在处理室的上方设置FFU(风机过滤单元),自该FFU以下降气流将N2气(氮气)、清洁空气等气体输送到处理室内。
使用图9及图10对在处理室的上方设有FFU的液处理装置的结构进行说明。图9是表示以往的液处理装置的概略结构的侧视图,图10是图9所示的以往的液处理装置的俯视图。如图9及图10所示,以往的液处理装置200包括用于收容晶圆W并对该被收容的晶圆W进行液处理的处理室(腔室)210。如图9及图10所示,在处理室210内设有用于将晶圆W保持而使其旋转的保持部220,在该保持部220的周围配置有杯状件230。另外,在以往的液处理装置200中,在处理室210内设有用于从杯状件230的上方向保持在保持部220上的晶圆W供给处理液的喷嘴240及用于支承该喷嘴240的臂241。另外,在臂241上设有沿着大致铅垂方向延伸的臂支承部242,利用该臂支承部242支承臂241。而且,臂支承部242被未图示的驱动机构驱动而沿着正反两方向旋转。由此,臂241能够以臂支承部242为中心向正反两方向旋转,该臂241在向被保持部220保持的晶圆W供给处理液的进入位置(参照图10中的实线)与自杯状件230退避的退避位置(参照图10中的双点划线)之间以臂支承部242为中心进行旋转移动(参照图10中的箭头)。
另外,如图9所示,在处理室210的上方设有FFU(风机过滤单元)250,始终自该FFU250以下降气流将N2气(氮气)、清洁空气等气体输送到处理室210内。另外,在处理室210的底部设有排气部260,利用该排气部260对处理室210内的气氛气体进行排气。这样,通过自FFU250以下降气流向处理室210内输送清洁空气等气体、并利用排气部260排出该气体而对处理室210内的气氛气体进行替换。
专利文献1:日本特开2009094525号公报
在图9及图10所示那样的以往的液处理装置200中,在处理室210内对晶圆W进行液处理时,药液等会飞散,有可能导致在处理室210内药液等附着残留在杯状件230的上部。在这种情况下,在之后的晶圆W处理中有可能产生由该残留的药液的气氛导致晶圆W污损等不良影响。
发明内容
本发明是考虑到这一点而做成的,其目的在于提供一种通过对杯状件进行清洗而能够防止由附着在杯状件上的污垢导致处理室内的基板污损的液处理装置及液处理方法。
本发明的液处理装置的特征在于,该液处理装置包括:处理室,其在内部设有用于保持基板的基板保持部及配置在该基板保持部的周围的杯状件;喷嘴,其用于向保持在上述基板保持部上的基板供给处理液;杯状件清洗部,其通过向上述杯状件的上部供给清洗液来对该杯状件进行清洗,在上述杯状件的上部形成有凹部,上述杯状件清洗部向上述杯状件的上部的上述凹部供给清洗液。
本发明的液处理方法的特征在于,该液处理方法包括以下工序:利用设置在处理室内部的基板保持部将基板保持成水平状态;利用上述基板保持部使基板旋转,利用进入到上述处理室内的喷嘴支承臂的喷嘴向由上述基板保持部保持而旋转的基板供给处理液;通过在上述处理室内向形成在杯状件的上部的凹部供给清洗液来对该杯状件进行清洗。
采用这样的液处理装置及液处理方法,通过对杯状件进行清洗,能够防止由附着在杯状件上的污垢导致处理室内的基板污损。
在本发明的液处理装置中,也可以构成为下述这样:该凹部由第1倾斜部分和第2倾斜部分形成,第1倾斜部分从凹部的内周缘到凹部的中途部分,第1倾斜部分以其高度随着从凹部的内周缘朝向外周缘而变小的方式倾斜,第2倾斜部分从凹部的中途部分到凹部的外周缘,第2倾斜部分以其高度随着从凹部的内周缘朝向外周缘而变大的方式倾斜,上述杯状件清洗部向上述杯状件的上部的上述中途部分供给清洗液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造