[发明专利]隧穿二极管整流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件，其特征在于，包括：

下电极；

形成于该下电极之上的整流功能层薄膜；以及

形成于该整流功能层薄膜之上的上电极。

2.根据权利要求1所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件，其特征在于，所述上电极和下电极均采用Pt、Ag、W、Ti、Al、Cu、Ru、TiN或TaN中的任一种。

3.根据权利要求1所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件，其特征在于，所述整流功能层薄膜采用Al₂O₃或MgO材料。

4.根据权利要求1所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件，其特征在于，所述整流功能层薄膜的厚度为3至10nm。

5.根据权利要求1所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件，其特征在于，根据所选用的上电极及下电极材料的不同，该隧穿二极管整流器件具有对称或非对称的非线性整流电学特性。

6.一种用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件的制造方法，其特征在于，该方法包括：

提供衬底；

在该衬底上形成下电极；

在该下电极上形成整流功能层；以及

在该整流功能层上形成上电极。

7.根据权利要求6所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件的制造方法，其特征在于，所述提供衬底的步骤中，所述衬底为SiO₂、Si、SiC或GaAs，或者为通过连接插塞与下电极相连的CMOS电路。

8.根据权利要求6所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件的制造方法，其特征在于，所述在该衬底上形成下电极的步骤中，是利用电子束蒸发、物理汽相沉积或化学汽相沉积工艺在该衬底上沉积Al金属层作为下电极，所述Al金属层的厚度为50nm。

9.根据权利要求6所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件的制造方法，其特征在于，所述在该下电极上形成整流功能层的步骤中，是利用磁控溅射、物理汽相沉积或化学汽相沉积工艺在该下电极上沉积Al₂O₃整流功能层，所述Al₂O₃整流功能层的厚度为3nm。

10.根据权利要求6所述的用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件的制造方法，其特征在于，所述在该整流功能层上形成上电极的步骤中，是利用电子束蒸发、物理汽相沉积或化学汽相沉积工艺在该整流功能层上沉积Al金属层作为下电极，所述Al金属层的厚度为70nm。