[发明专利]一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法无效
申请号: | 201210026222.1 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN102616766A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 宋燕;翟晓玲;智林杰;史景利;郭全贵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院山西煤炭化学研究所 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;H01G9/042 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 刘宝贤 |
地址: | 030001 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 原子 有序 中孔炭 制备 方法 | ||
1.一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)含杂原子酚醛树脂溶液的制备
将苯酚熔融,加入催化剂,搅拌均匀后加入甲醛水溶液,在65-90℃反应10-60min,再加入杂原子化合物,继续反应10-60min后关闭搅拌,调节溶液pH≥7.0,减压脱水后所得树脂溶于有机溶剂成均匀溶液,得到含杂原子酚醛树脂溶液;
反应物质量比为:苯酚∶催化剂∶甲醛∶杂原子化合物=100∶0.5-20∶10-70∶2-50;
(2)中孔炭的合成过程
将嵌段共聚物溶于溶剂中形成均匀溶液,加入硅的低聚物搅拌0.5-4h,然后加入杂原子酚醛树脂溶液,搅拌均匀后挥发溶剂6-18h,固化6-48h,惰性气氛下600-1200℃炭化0.1-3h,用氢氟酸或浓碱液处理炭化后的样品,去除硅,洗涤烘干后得到含杂原子有序中孔炭;
反应物质量比为:上述含杂原子酚醛树脂溶液∶嵌段共聚物∶硅的低聚物=100∶10-100∶15-200。
2.如权利要求1所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,其特征在于所述的催化剂为氨水、氢氧化钠或碳酸钠。
3.如权利要求1所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,,其特征在于所述的杂原子化合物为硼砂、硼酸、三聚氰胺、苯胺、酰胺、磷酸或磷酸铵。
4.如权利要求1所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,,其特征在于所述的溶剂为乙醇、四氢呋喃或乙腈。
5.如权利要求1所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,,其特征在于所述的嵌段共聚物为两嵌段共聚物或三嵌段共聚物。
6.如权利要求5所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,,其特征在于所述的两嵌段共聚物为MPEG-PHB或PS-PAA;
7.如权利要求5所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,,其特征在于所述的三嵌段共聚物为F127、P123、F108或HD2018。
8.如权利要求1所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,其特征在于所述的硅的低聚物为硅溶胶或正硅酸乙酯。
9.如权利要求1所述的一种高比电容含杂原子有序中孔炭的制备方法,,其特征在于所述的浓碱液为NaOH或KOH的水溶液,质量分数为20-40%。
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