[发明专利]pH传感器、pH测定方法、离子传感器及离子浓度测定方法

权利要求书

1.一种pH传感器，其特征在于，具有：

参照极，其包含p通道场效应晶体管，该p通道场效应晶体管的栅极由具有氢离子不敏感终端的金刚石表面构成；以及

作用极。

2.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

上述金刚石表面是实施了氢终端处理的生长金刚石。

3.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

构成上述金刚石表面的sp3结合的结晶的含量多于sp2结合的结晶的含量。

4.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

上述金刚石表面包含将实施了氢终端处理后的生长金刚石的氢终端的一部分置换为氧终端或氟终端的氢离子不敏感终端。

5.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

上述作用极是玻璃电极。

6.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

上述作用极包含场效应晶体管，该场效应晶体管的栅极具有氢离子感应膜。

7.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

还具有温度传感器，其检测上述场效应晶体管的温度。

8.一种pH测定方法，其特征在于，具有：

使被测定液体与包含p通道场效应晶体管的参照极、及作用极接触的步骤，该p通道场效应晶体管的栅极由具有氢离子不敏感终端的金刚石表面构成；以及

根据上述参照极及上述作用极的输出测定上述被测定液体的pH的步骤。

9.一种离子传感器，其特征在于，具有：

参照极，其具有半导体表面含有金刚石的第一p通道场效应晶体管；以及

作用极，其具有第二p通道场效应晶体管，该第二p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面的终端与上述第一p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面的终端不同。

10.如权利要求9所述的离子传感器，其特征在于，

上述第一p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面，包含实施了氢终端处理的金刚石。

11.如权利要求9所述的离子传感器，其特征在于，

上述第一p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面，是将实施了氢终端处理的金刚石的氢终端的一部分，置换为氧终端或氟终端而得到的氢离子不敏感终端。

12.如权利要求9所述的离子传感器，其特征在于，

构成上述第一p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面的sp3结合的结晶的含量，多于sp2结合的结晶的含量。

13.如权利要求9所述的离子传感器，其特征在于，

上述第二p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面，是将实施氢终端处理的金刚石的氢终端的一部分，置换为氨基终端或氧终端而得到的离子感应终端。

14.如权利要求9所述的离子传感器，其特征在于，

还具有温度传感器，其检测上述第一p通道场效应晶体管及上述第二p通道场效应晶体管的至少一个的温度。

15.一种离子浓度测定方法，其特征在于，具有：

使被测定液体与参照极以及作用极接触的步骤，上述参照极具有第一p通道场效应晶体管，该第一p通道场效应晶体管的半导体表面具有金刚石，上述作用极具有第二p通道场效应晶体管，该第二p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面的终端与上述第一p通道场效应晶体管的栅极部分的半导体表面的终端不同；以及

根据上述参照极及上述作用极的输出测定上述被测定液体的离子浓度的步骤。

16.如权利要求1所述的pH传感器，其特征在于，

上述金刚石表面由实施了氢终端处理的导电性金刚石构成。