[发明专利]导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置

权利要求书

1.一种导电元件，包括：

基板，具有第一波形表面和第二波形表面；以及

层压膜，形成在所述第一波形表面上，并且层压有两层或更多层，

其中，所述层压膜形成导电图案，并且

所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：

0≤(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8

这里，Am1：所述第一波形表面中振动的平均宽度，Am2：所述第二波形表面中振动的平均宽度，λm1：所述第一波形表面的平均波长，λm2：所述第二波形表面的平均波长。

2.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，

所述第二波形表面的平均波长λm2为可见光的波长或者更小。

3.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，

所述第一波形表面的平均波长λm1与所述第二波形表面的平均波长λm2为可见光的波长或者更小。

4.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：

(Am1/λm1)＝0，0＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，

所述第二波形表面的平均波长λm2为100μm以上。

5.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述第一波形表面和所述第二波形表面满足以下关系：

0＜(Am1/λm1)＜(Am2/λm2)≤1.8，并且，

所述第一波形表面的平均波长λm1与所述第二波形表面的平均波长λm2为100μm以上。

6.根据权利要求1所述的导电元件，进一步包括：

残余膜，形成在所述第二波形表面上，并且为所述层压膜的一部分，

其中，所述层压膜和所述残余膜满足以下关系：

S1＞S2，这里，S1：所述层压膜的面积，S2：所属残余膜的面积。

7.根据权利要求6所述的导电元件，

其中，形成在所述第一波形表面上的所述层压膜以连续的方式形成在所述第一波形表面上，而形成在所述第二波形表面上的所述残余膜以不连续的方式形成在所述第二波形表面上。

8.根据权利要求1所述的导电元件，进一步包括：

残余膜，形成在所述第二波形表面上，并且为所述层压膜的一部分，

其中，所述层压膜和所述残余膜满足以下关系：

d1＞d2

这里，d1：所述层压膜的厚度，d2：所述残余膜的厚度。

9.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述层压膜设置有导电层和形成在所述导电层上的功能层，并且，

所述功能层由与所述导电层不同的材料形成。

10.根据权利要求1所述的导电元件，

其中，所述层压膜使用彼此去除速率不同的材料形成。

11.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述导电层为包括氧化物半导体的透明导电层。

12.根据权利要求11所述的导电元件，

其中，所述氧化物半导体包括铟锡氧化物或氧化锌。

13.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述导电层为无定形态和多晶态的混合物。

14.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述导电层包括从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。

15.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述功能层包括从由氧化物和过渡金属化合物组成的组中选择的至少一种。

16.根据权利要求9所述的导电元件，

其中，所述功能层包括从由Ag、Al、Au、Pt、Pd、Ni、Cr、Nb、W、Mo、Ti和Cu组成的组中选择的至少一种。