[发明专利]阴极引线部件、其制法、用途及有机电致发光器件有效
申请号: | 201210026830.2 | 申请日: | 2012-02-08 |
公开(公告)号: | CN102593368A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 邱勇;甘帅燕;王龙 | 申请(专利权)人: | 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 钟守期;王媛 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阴极 引线 部件 制法 用途 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种阴极引线部件、其制备方法、在发光器件中的用途以及包括所述阴极引线部件的有机电致发光器件(OLED)。
背景技术
目前常规的OLED阴极引线包含上下双层结构:下层为主电极引线,通常由氧化铟锡(ITO)构成;上层为辅助电极,通常为金属。辅助电极的作用是减少引线电阻,从而降低模组功耗和驱动电压。在传统制备工艺中,上下层阴极引线均通过光刻蚀形成,如图1所示。首先提供一块基板,在其上溅射一层ITO层101,采用光掩模工艺刻蚀形成如图1(a)所示的图案,构成引线区的阴极引线;然后在该薄层上通过光刻蚀形成作为辅助电极的钼铝钼(MOALMO)金属薄层102(如图1(b));再使用聚酰亚胺(PI)采用光刻工艺在阴极区形成一层绝缘层103,用于将不同的像素分割开来,形成像素阵列;然后在阴极区的阴极引线之间的横向绝缘层上通过旋涂法加入隔离柱(RIB)104隔开相邻引线;最后在阴极区上蒸镀一层Al形成阴极105,蒸镀的阴极Al层仅在阴极区内,未进入引线区。这样就制成了目前常规的阴极引线部件,其中Al层为阴极,ITO与钼铝钼(MOALMO)金属薄层一起构成阴极引线。
但是形成上述阴极引线部件需要在基板上同时涂镀ITO层和额外的MOALMO层并进行光刻蚀,成本较高。另外,所需阴极引线部件的制备包括四道光刻工艺:ITO-MOALMO-PI-RIB,步骤较多,操作复杂,因而生产率低。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术中存在的一种或多种问题。
因此,本发明提供一种阴极引线部件,包括:
基板;
在基板之上形成的具有预定图案的主电极引线层;
在主电极引线层之上形成的绝缘层,用于限定引线区的搭接范围;
在绝缘层之上形成的隔离柱,用于隔开各个阴极引线;以及
在隔离柱之上形成的金属层,其覆盖整个阴极引线区和阴极区,以用于同时作为阴极引线的辅助电极和阴极。
此外,本发明还提供一种制备阴极引线部件的方法,包括以下步骤:
(i)在基板上形成一层主电极引线层;
(ii)在主电极引线层之上形成一层绝缘层,限定引线区的搭接范围;
(iii)在绝缘层之上形成隔离柱,隔开各个阴极引线;以及
(iv)在隔离柱之上形成金属层,所述金属层覆盖整个阴极引线区和阴极区,从而同时作为阴极引线的辅助电极和阴极。
与现有技术的阴极引线部件相比,本发明的阴极引线部件无需另行使用作为辅助电极的金属薄层,例如昂贵的钼铝钼层,从而降低了设备成本。另外,本发明阴极引线部件的制造还可省却形成辅助电极的工艺过程,例如光刻过程,从而简化了制备过程,提高了生产率,有利于部件的大规模工业生产。
因此,本发明还提供本发明的阴极引线部件用于有机电致发光器件的用途。
此外,本发明还提供一种发光器件,包括本发明的阴极引线部件。
本发明还提供了一种发光器件的制备方法,包括采用上述方法制备阴极引线部件。
附图说明
图1是阴极引线部件的常规制备方法的示意图;
图2是本发明一个实施方案的阴极引线部件的制备方法的示意图。
具体实施方式
在本发明中,如无其他说明,则所有操作均在室温、大气压条件下实施。
本发明的阴极引线部件包括:
基板;
在基板之上形成的具有预定图案的主电极引线层;
在主电极引线层之上形成的绝缘层,用于限定引线区的搭接范围;
在绝缘层之上形成的隔离柱,用于隔开各个阴极引线;以及
在隔离柱之上形成的金属层,其覆盖整个阴极引线区和阴极区,以用于同时作为阴极引线的辅助电极和阴极。
所述基板可以采用本领域常见的用于此目的的任何基板,例如玻璃或二氧化硅等。
所述主电极引线层可以由本领域常见的用于此目的的任何材料构成,例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌、氧化锡锌、金、铜或银等。优选地,所述引线层的厚度为500-3000埃,更优选800-1500埃,特别优选约800-1000埃。
所述绝缘层可以由本领域常见的用于此目的的任何绝缘材料构成,包括但不限于,聚酰亚胺、聚四氟乙烯或聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物。优选地,所述绝缘层的厚度为3000埃至5μm,更优选5000埃至3μm,特别优选8000埃至3μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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