[发明专利]阴极引线部件、其制法、用途及有机电致发光器件有效

专利信息
申请号: 201210026830.2 申请日: 2012-02-08
公开(公告)号: CN102593368A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 邱勇;甘帅燕;王龙 申请(专利权)人: 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 钟守期;王媛
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阴极 引线 部件 制法 用途 有机 电致发光 器件
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种阴极引线部件、其制备方法、在发光器件中的用途以及包括所述阴极引线部件的有机电致发光器件(OLED)。

背景技术

目前常规的OLED阴极引线包含上下双层结构:下层为主电极引线,通常由氧化铟锡(ITO)构成;上层为辅助电极,通常为金属。辅助电极的作用是减少引线电阻,从而降低模组功耗和驱动电压。在传统制备工艺中,上下层阴极引线均通过光刻蚀形成,如图1所示。首先提供一块基板,在其上溅射一层ITO层101,采用光掩模工艺刻蚀形成如图1(a)所示的图案,构成引线区的阴极引线;然后在该薄层上通过光刻蚀形成作为辅助电极的钼铝钼(MOALMO)金属薄层102(如图1(b));再使用聚酰亚胺(PI)采用光刻工艺在阴极区形成一层绝缘层103,用于将不同的像素分割开来,形成像素阵列;然后在阴极区的阴极引线之间的横向绝缘层上通过旋涂法加入隔离柱(RIB)104隔开相邻引线;最后在阴极区上蒸镀一层Al形成阴极105,蒸镀的阴极Al层仅在阴极区内,未进入引线区。这样就制成了目前常规的阴极引线部件,其中Al层为阴极,ITO与钼铝钼(MOALMO)金属薄层一起构成阴极引线。

但是形成上述阴极引线部件需要在基板上同时涂镀ITO层和额外的MOALMO层并进行光刻蚀,成本较高。另外,所需阴极引线部件的制备包括四道光刻工艺:ITO-MOALMO-PI-RIB,步骤较多,操作复杂,因而生产率低。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术中存在的一种或多种问题。

因此,本发明提供一种阴极引线部件,包括:

基板;

在基板之上形成的具有预定图案的主电极引线层;

在主电极引线层之上形成的绝缘层,用于限定引线区的搭接范围;

在绝缘层之上形成的隔离柱,用于隔开各个阴极引线;以及

在隔离柱之上形成的金属层,其覆盖整个阴极引线区和阴极区,以用于同时作为阴极引线的辅助电极和阴极。

此外,本发明还提供一种制备阴极引线部件的方法,包括以下步骤:

(i)在基板上形成一层主电极引线层;

(ii)在主电极引线层之上形成一层绝缘层,限定引线区的搭接范围;

(iii)在绝缘层之上形成隔离柱,隔开各个阴极引线;以及

(iv)在隔离柱之上形成金属层,所述金属层覆盖整个阴极引线区和阴极区,从而同时作为阴极引线的辅助电极和阴极。

与现有技术的阴极引线部件相比,本发明的阴极引线部件无需另行使用作为辅助电极的金属薄层,例如昂贵的钼铝钼层,从而降低了设备成本。另外,本发明阴极引线部件的制造还可省却形成辅助电极的工艺过程,例如光刻过程,从而简化了制备过程,提高了生产率,有利于部件的大规模工业生产。

因此,本发明还提供本发明的阴极引线部件用于有机电致发光器件的用途。

此外,本发明还提供一种发光器件,包括本发明的阴极引线部件。

本发明还提供了一种发光器件的制备方法,包括采用上述方法制备阴极引线部件。

附图说明

图1是阴极引线部件的常规制备方法的示意图;

图2是本发明一个实施方案的阴极引线部件的制备方法的示意图。

具体实施方式

在本发明中,如无其他说明,则所有操作均在室温、大气压条件下实施。

本发明的阴极引线部件包括:

基板;

在基板之上形成的具有预定图案的主电极引线层;

在主电极引线层之上形成的绝缘层,用于限定引线区的搭接范围;

在绝缘层之上形成的隔离柱,用于隔开各个阴极引线;以及

在隔离柱之上形成的金属层,其覆盖整个阴极引线区和阴极区,以用于同时作为阴极引线的辅助电极和阴极。

所述基板可以采用本领域常见的用于此目的的任何基板,例如玻璃或二氧化硅等。

所述主电极引线层可以由本领域常见的用于此目的的任何材料构成,例如氧化铟锡(ITO)、氧化锌、氧化锡锌、金、铜或银等。优选地,所述引线层的厚度为500-3000埃,更优选800-1500埃,特别优选约800-1000埃。

所述绝缘层可以由本领域常见的用于此目的的任何绝缘材料构成,包括但不限于,聚酰亚胺、聚四氟乙烯或聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物。优选地,所述绝缘层的厚度为3000埃至5μm,更优选5000埃至3μm,特别优选8000埃至3μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司,未经昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210026830.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top