[发明专利]半导体器件的应变结构有效
| 申请号： | 201210026834.0 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103107195A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 应变 结构 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底包括主表面；
位于所述衬底的所述主表面上的栅极堆叠件；
设置在所述栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件(STI)，其中所述STI在所述衬底中；以及
被应变结构填充的腔，所述腔分布在所述栅极堆叠件和所述STI之间，其中所述腔包括一个由所述STI形成的侧壁，一个由所述衬底形成的侧壁和由所述衬底形成的底面，其中，所述应变结构包括SiGe层和与所述STI的侧壁邻接的第一应变膜。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变膜的宽度小于所述SiGe层的宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述SiGe层的宽度与所述第一应变膜的宽度的比值是5至100。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变膜的厚度大于所述SiGe层的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变膜的厚度小于所述SiGe层的宽度。
6.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供具有主表面的衬底；
在所述衬底中形成浅沟槽隔离件(STI)；
在所述衬底的所述主表面上形成栅极堆叠件，其中所述STI设置在所述栅极堆叠件的一侧；
形成分布在所述栅极堆叠件和所述STI之间的腔，其中所述腔包括一个由所述STI形成的侧壁，一个由所述衬底形成的侧壁和由所述衬底形成的底面；
在所述腔中外延地生长(外延生长)应变膜；
通过移除所述应变膜的第一部分直至暴露出所述衬底的底面以形成开口，其中所述应变膜的第二部分与STI侧壁邻接；以及
在所述开口中外延生长SiGe层。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
位于所述STI上方形成具有侧壁间隔件的伪栅极堆叠件；以及
在所述侧壁间隔件的下方在所述STI中形成凹槽。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述STI中形成凹槽的步骤通过湿式蚀刻工艺实施。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，湿式蚀刻工艺在包含HF的溶液中进行。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述开口的步骤同时移除位于所述衬底的侧壁上的所述应变膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210026834.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带槽配电柜
- 下一篇：一种可长期在真空设备的高温环境下工作的水冷套
- 同类专利
- 专利分类
