[发明专利]一种离子选择性膜电极的制备方法

权利要求书

1.一种硫酸根离子选择性膜电极的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：

1）配置聚合物支持体

将PTFE 4.8g~6g，溶解于95g水中，配制成PTFE溶液；

2）加入电活性物质并制备混合溶液

取1~2ml浓度为5mol/l的硫酸溶液，再取5~7ml已配置的PTFE溶液，两者混合搅拌；

3）制备敏感膜

取纳米氧化铝0.2~0.5g，加入上述混合溶液，充分搅拌成为均匀透明的溶液，将此溶液慢慢倾倒在一层多孔PVC膜上，并经过涂布和刮膜，使得上述成分均匀布于多孔PVC膜上，然后在其上再覆盖另一层PVC膜，在真空条件下，置于75°C~ 85°C的温度，加热13~16小时，从而制备敏感膜；

4）膜电极的组装

准备内径为15~18mm、长度为10cm的PVC管，取直径为15~18mm的已制备好的敏感膜，用5wt % PVC的四氢呋喃溶液粘在上述PVC管的内侧底部，再往其中充入0.1mol/L的硫酸钾溶液作为内参比溶液，在此内参比溶液中插入Ag/AgCl内参比电极。

2.根据权利要求1所述的硫酸根离子选择性膜电极的制备方法，其特征在于，在步骤4），PVC管内径以及敏感膜的直径均为16mm。

3.根据权利要求1所述的硫酸根离子选择性膜电极的制备方法，其特征在于，在步骤3），制备敏感膜的真空加热条件为：保持温度为80°C，加热时间15小时。