[发明专利]InAs/GaSb二类超晶格红外探测器

权利要求书

1.一种InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，包括：

一衬底；

一缓冲欧姆接触层，制作在衬底上；

一第一二类超晶格层，制作在缓冲欧姆接触层上，该第一二类超晶格层位于缓冲欧姆接触层的中间，使缓冲欧姆接触层上面的两侧形成台面；

一本征二类超晶格光吸收层，制作在第一二类超晶格层上；

一第二二类超晶格层，制作在本征二类超晶格光吸收层上；

一欧姆接触层，制作在第二二类超晶格层上；

一钝化层，覆盖缓冲欧姆接触层两侧的部分台面、第一二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、第二二类超晶格层和欧姆接触层的侧面，及欧姆接触层上的两侧面，覆盖欧姆接触层的该钝化层的中间有一透光口，覆盖缓冲欧姆接触层的该钝化层两侧的台面上分别有一电极窗口；

一上电极，制作在透光口的两侧；

一下电极，制作在电极窗口内。

2.根据权利要求1所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中该衬底的材料为GaSb。

3.根据权利要求1所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中该缓冲欧姆接触层的材料为P型GaSb，该第一二类超晶格层的材料为P型InAs/GaSb，该本征二类超晶格光吸收层的材料为InAs/GaSb，该第二二类超晶格层的材料为N型InAs/GaSb，该欧姆接触层的材料为N型InAs。

4.根据权利要求3所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中所述的缓冲欧姆接触层的厚度为500nm至1000nm。

5.根据权利要求3所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中所述的欧姆接触层的厚度为10nm至20nm。

6.根据权利要求3所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中所述第一二类超晶格层的厚度为400nm至700nm，其掺杂浓度为10¹⁸cm^-3至10¹⁹cm^-3。

7.根据权利要求3所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中所述的第二二类超晶格层的厚度为400nm至700nm，其掺杂浓度为10¹⁸cm^-3至10¹⁹cm^-3。

8.根据权利要求1所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中所述的本征二类超晶格吸收层的材料为InAs/GaSb，是由交替生长的大于400个周期或者1.6微米以上的InAs层/InSb界面层/GaSb层/As-soak组成。

9.根据权利要求1所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中所述上电极和下电极采用钛金合金，该钛金合金中各层的厚度是Ti为100nm，Au为300nm。

10.根据权利要求1所述的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，其中该钝化层的材料采用SiO_xN_y，0＜x＜2，0＜y＜4/3。