[发明专利]光电转换装置和图像感测系统有效
申请号: | 201210027705.3 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN102637704A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 小林昌弘;栗原政树;市川武史;关根康弘;篠原真人;加藤太朗;门间玄三 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 图像 系统 | ||
1.一种光电转换装置,包含:
多个光电转换部分;
绝缘膜;
多个高折射率构件,分别配备在各自光电转换部分上以便被所述绝缘膜包围,并具有比所述绝缘膜的折射率大的折射率;
高折射率膜,配备在所述绝缘膜上以相互连接所述多个高折射率构件,并具有比所述绝缘膜的折射率大的折射率;
多个第一透镜部分,安排成与各自光电转换部分相对应;以及
多个第二透镜部分,安排成在所述第一透镜部分和所述高折射率构件之间与各自光电转换部分相对应,
其中,下述中的至少之一彼此毗接:
(1)所述多个第一透镜部分当中彼此相邻的第一透镜部分,以及
(2)所述多个第二透镜部分当中彼此相邻的第二透镜部分。
2.按照权利要求1所述的光电转换装置,进一步包含安排在所述多个第一透镜部分和所述多个第二透镜部分之间的波长选择层,所述波长选择层具有与具有彼此不同值的波长相对应并被安排成与各自光电转换部分相对应的多种类型的波长选择构件,其中,
彼此相邻的第一透镜部分彼此毗接,以及彼此相邻的第二透镜部分彼此隔开。
3.按照权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述多个第一透镜部分当中彼此相邻并被安排成使其光轴彼此相隔预定距离的第一透镜部分彼此毗接,以及所述多个第一透镜部分当中彼此相邻并被安排成使其光轴彼此相隔大于所述预定距离的距离的第一透镜部分彼此毗接。
4.按照权利要求1所述的光电转换装置,进一步包含折射率小于所述第二透镜部分的折射率的低折射率膜,所述低折射率膜被安排在所述第二透镜部分和所述高折射率构件之间以相对于所述第二透镜部分形成界面。
5.按照权利要求4所述的光电转换装置,其中,所述低折射率膜包括:
第一低折射率层,相对于所述第二透镜部分形成界面并具有比所述第二透镜部分的折射率小的折射率;以及
第二低折射率层,安排在所述第一低折射率层和所述高折射率膜之间,相对于所述第一低折射率层形成界面,并具有比所述第一低折射率层的折射率小的折射率。
6.按照权利要求5所述的光电转换装置,其中,所述低折射率膜包括:
第三低折射率层,安排在所述第二低折射率层和所述高折射率膜之间,相对于所述高折射率膜形成界面,并具有在所述第二低折射率层的折射率和所述高折射率膜的折射率之间的折射率。
7.按照权利要求6所述的光电转换装置,其中,所述第二透镜部分的折射率高于所述高折射率膜的折射率,以及所述第一低折射率层的折射率大于所述第三低折射率层的折射率。
8.按照权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述多个第一透镜部分的每一个包括第一透镜体、和沿着所述第一透镜体的弯曲表面配备并具有比所述第一透镜体的折射率小的折射率的第一涂层。
9.按照权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述多个第二透镜部分的每一个包括第二透镜体、和沿着所述第二透镜体的弯曲表面配备并具有比所述第二透镜体的折射率小的折射率的第二涂层。
10.按照权利要求1所述的光电转换装置,其中,满足如下条件(a)和(b)中的至少一个:
(a)所述多个第一透镜部分的每一个包括由树脂形成的第一透镜体、和沿着所述第一透镜体的弯曲表面配备并包括氧化硅的第一涂层;以及
(b)所述多个第一透镜部分的每一个包括由氮化硅形成的第二透镜体、和沿着所述第二透镜体的弯曲表面配备并包括氧氮化硅的第二涂层。
11.按照权利要求10所述的光电转换装置,进一步包含折射率小于所述高折射率膜的折射率的低折射率膜,所述低折射率膜被配备在集光透镜部分和所述高折射率膜之间以相对于所述高折射率膜形成界面。
12.按照权利要求11所述的光电转换装置,其中,
所述低折射率膜包括:
第一低折射率层;
第二低折射率层,安排在所述第一低折射率层和所述高折射率膜之间,相对于所述第一低折射率层形成界面,并具有比所述第一低折射率层的折射率小的折射率;以及
第三低折射率层,安排在所述第二低折射率层和所述高折射率膜之间,相对于所述高折射率膜形成界面,并具有在所述第二低折射率层的折射率和所述高折射率膜的折射率之间的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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