[发明专利]形成砷化镓基光伏器件的方法和砷化镓基光伏器件

权利要求书

1.一种形成砷化镓基光伏器件的方法，该方法包括：

提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层；以及

提供在所述半导体结构的p-n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下，所述p-n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。

2.权利要求1所述的方法，其中在比引起所述p-n接面的雪崩击穿的电场的量级低的电场中，所述p-n接面通过所述齐纳击穿效应击穿。

3.权利要求1所述的方法，其中所述旁路功能为所述光伏器件的所述p-n接面固有，使得所述光伏器件提供没有连接或包括在所述光伏器件中的区别旁路二极管的旁路功能。

4.权利要求1所述的方法，其中所述吸收层以约4x 10¹⁷cm^-3或更高高度掺杂。

5.权利要求1所述的方法，其中提供所述半导体结构包括在所述半导体结构中形成射极层，所述射极层由和所述吸收层不同的材料制成，并且具有比所述吸收层更高带隙，其中异质接面在所述射极层和所述吸收层之间形成。

6.权利要求5所述的方法，其中中间层在所述吸收层和所述射极层之间形成，所述中间层具有和所述吸收层相同的掺杂类型，并且包括和所述射极层不同的材料，其中p-n接面形成于从所述异质接面偏离的位置。

7.权利要求6所述的方法，其中所述吸收层以约4x 10¹⁷cm^-3或更高高度掺杂并且所述中间层以比所述吸收层更低浓度掺杂。

8.一种砷化镓基光伏器件，包括：

半导体结构，包括包含砷化镓的吸收层；以及

所述半导体结构内的p-n接面，所述p-n接面提供旁路功能，其中在反向偏压条件下，所述p-n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。

9.权利要求8所述的光伏器件，其中在比引起所述p-n接面的雪崩击穿的电场的量级低的电场中，所述p-n接面通过所述齐纳击穿效应击穿。

10.权利要求9所述的光伏器件，其中所述光伏器件提供没有连接或包括在所述光伏器件中的区别旁路二极管的旁路功能。

11.权利要求8所述的光伏器件，其中所述吸收层以约4x 10¹⁷cm^-3或更高高度掺杂。

12.权利要求8所述的光伏器件，其中所述p-n接面在所述吸收层和射极层之间形成，其中所述吸收层临近所述射极层设置。

13.权利要求8所述的光伏器件，其中所述半导体结构包括射极层，所述射极层由和所述吸收层不同的材料制成，并且具有比所述吸收层更高带隙，其中异质接面在所述射极层和所述吸收层之间形成。

14.权利要求13所述的光伏器件，其中所述半导体结构包括在所述吸收层和所述射极层之间形成的中间层，所述中间层具有和所述吸收层相同的掺杂类型，并且包括和所述射极层不同的材料，其中p-n接面形成于从所述异质接面偏离的位置。

15.权利要求14所述的光伏器件，其中所述吸收层以约4x 10¹⁷cm^-3或更高高度掺杂并且所述中间层以比所述吸收层更低浓度掺杂。