[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有主表面；

开关元件，包括源极区和漏极区，置于所述半导体衬底的所述主表面之上；

平板状引出布线，置于所述开关元件上方；

自旋矩写入的平面内磁化磁阻元件，设置在所述引出布线上方，其磁化状态能够根据电流流动方向而变化；以及

第一布线，与所述磁阻元件电耦接并且朝向沿所述主表面的方向延伸，

其中所述磁阻元件的如平面中所见的宽长比是不同于1的值，以及

其中在布置有其中所述磁阻元件和所述开关元件彼此电耦接的多个存储器单元的存储器单元区域中，在第一方向上或者如平面中所见的在所述磁阻元件的长度方向上彼此邻接的多个磁阻元件被布置为使得所述磁阻元件未处于沿所述第一方向延伸的相同直线上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中如平面中所见的所述存储器单元的面积不小于0.02μm²并且不大于0.5μm²。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述磁阻元件被布置为使得所述磁阻元件如从与所述第一方向交叉的第二方向所见的至少部分地与在所述第一方向上与其邻接的磁阻元件交叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在相同的存储器单元中，所述引出布线被布置为使得所述引出布线不会如平面中所见的至少部分地与所述半导体衬底的所述主表面中的所述开关元件的有源区交叠。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在其中所述第一布线如平面中所见的与所述磁阻元件交叠的区域中，所述第一布线在与其中所述第一布线延伸的方向交叉的方向上的宽度比其在所述交叠的区域以外的区域中的宽度宽。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在所述存储器单元区域中，多个存储器单元被布置在如平面中所见的彼此正交的第三方向和第四方向上，以及

其中所述存储器单元区域进一步包括：

源极接触，电耦接到所述开关元件的源极区；以及

漏极接触，将所述开关元件的漏极区和所述引出布线电耦接在一起。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中在所述第三方向或所述第四方向上彼此邻接的多个所述源极接触和所述漏极接触被布置为使得所述源极接触或所述漏极接触未处于在所述第三方向和/或所述第四方向上延伸的直线上。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述引出布线具有如下形状：使得所述引出布线在所述第三方向和所述第四方向上延伸。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第一方向与所述第三方向和所述第四方向均不同。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

第二布线，沿所述主表面安置并且将多个所述源极接触电耦接在一起，

其中所述第二布线的中心线在所述第三方向或所述第四方向上弯曲并且延伸。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中在所述第三方向上彼此邻接的一对存储器单元中，一个存储器单元中的所述源极接触被置于在所述第三方向上较之存储器单元的中心更接近另一存储器单元的区域中。

12.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述漏极接触未被置于在所述第四方向上将多个所述源极接触连结在一起的直线上。

13.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中在相同的存储器单元中，所述磁阻元件和所述漏极接触如平面中所见的不彼此交叠。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一布线延伸使得所述第一布线如平面中所见的与所述存储器单元交叠，以及

其中对于单个存储器单元，所述第一布线的两个或更多个被置于沿所述主表面的平面中，它们之间在与其中所述第一布线延伸的方向交叉的方向上具有一定距离。