[发明专利]一种含有金属的半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201210028179.2 | 申请日： | 2012-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103208514B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 朱江;盛况 | 申请（专利权）人： | 盛况 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/15;H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含有 金属 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含有金属的半导体装置，其特征在于：包括：
半导体材料，为第一导电半导体材料，在其中设置了多个平行金属层，金属层由网格结构或多个平行线状金属材料构成，金属层之间半导体材料通过金属层内空缺互连，金属材料与半导体材料之间为肖特基势垒结。
2.如权利要求1所述的一种含有金属的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)在第一导电半导体材料表面形成金属层；
2)进行光刻腐蚀，去除部分金属，形成网格结构或多个平行线状金属材料构成的金属层；
3)进行第一导电半导体材料淀积生长，形成新的半导体材料层；
4)重复进行一次或多次上述工艺过程。
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