[发明专利]薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：

一电极层；以及

一半导体层，其包含：

一P型层，位于所述电极层上；

一I型层，包含一I型非晶硅层以及一I型短程有序非晶硅层，所述I型非晶硅层位于所述P型层上，所述I型短程有序非晶硅层位于所述I型非晶硅层上；及

一N型层，位于所述I型短程有序非晶硅层上；

其中，所述I型非晶硅层占所述I型层的厚度比例大于所述I型短程有序非晶硅层所占的比例。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，更包含一基板，所述电极层位于所述基板上。

3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述基板的材质是包含金属或不透光的玻璃。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述电极层是一透明导电薄膜，其是由掺杂氟的二氧化锡或氧化锌掺硼构成。

5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型非晶硅层的厚度为2300埃。

6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅层的厚度为200埃。

7.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型非晶硅层占所述I型层的厚度比例为92％，所述I型短程有序非晶硅层占所述I型层的厚度比例为8％。

8.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅层占所述I型层的厚度比例进一步调整至9％～92％，而所述I型非晶硅层则相对调整至91％～8％。

9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型层在经由电浆辅助化学气相沉积制程中，通过调整一制程参数，以改变所述I型层中氢原子与硅原子的排列，从而在所述I型层中形成有所述短程有序非晶硅层；其中，所述制程参数的调整包含压力调整至大于80pa，温度调整至小于200℃。

10.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，对于所述I型层中的所述非晶硅层及所述短程有序非晶硅层的辨别，通过一穿透式电子显微镜拍摄所述I型层的绕射图形来达成。

11.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：

一电极层；以及

一半导体层，其包含：

一P型层，位于该电极层上；

一I型层，包含一I型非晶硅层以及一I型短程有序非晶硅层，所述I型非晶硅层位于所述P型层上，所述I型短程有序非晶硅层位于所述I型非晶硅层上；及

一N型层，位于所述I型短程有序非晶硅层上；

其中，所述I型非晶硅层占所述I型层的厚度比例小于所述I型短程有序非晶硅层所占的比例。

12.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，更包含一基板，所述电极层位于所述基板上。

13.如权利要求12所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述基板的材质包含金属或不透光的玻璃。

14.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述电极层为一透明导电薄膜，其是由掺杂氟的二氧化锡或氧化锌掺硼构成。

15.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型非晶硅层的厚度为200埃。

16.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅层的厚度为2300埃。

17.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型非晶硅层占所述I型层的厚度比例为8％，所述I型短程有序非晶硅层占所述I型层的厚度比例为92％。

18.如权利要求17所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述I型短程有序非晶硅层占所述I型层的厚度比例进一步调整至91％～8％，而所述I型非晶硅层则相对调整至9％～92％。