[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有被动元件的半导体结构及其制造方法。

背景技术

传统具有被动元件的半导体结构包括电容结构、电感结构及电阻结构。以电容结构来说，其以介电层夹于二金属层之间所构成。

然而，由于介电结构容易残留导电结构的金属粒子。当施加高电压至电容结构时，介电结构通过此残留粒子电性导通于导电结构，使电容结构失去电容功能。一般来说，只要电压超过30至40伏特(崩溃电压)，则半导体结构的电容结构就会短路。

发明内容

本发明有关于一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的崩溃电压高，使半导体结构的电容结构不会轻易短路。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体结构。半导体结构包括一基板及一电容结构。电容结构包括一第一导电层、一第二导电层及一介电层。第一导电层形成于基板上。第二导电层具有一侧面。介电层形成于第一导电层与第二导电层之间，且具有一侧面，介电层的侧面与第二导电层的侧面间隔一距离。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体结构的制作方法。制作方法包括以下步骤。形成一第一金属材料于一基板上；形成一电容介电材料于第一导电材料上；形成一第二金属材料于电容介电材料上；图案化第二金属材料，以形成一第二导电层；图案化电容介电材料，以形成一介电层；图案化第一导电材料，以形成一第一导电层；其中，第一导电层、介电层与第二导电层构成一电容结构，介电层的一侧面与第二导电层的一侧面间隔一距离。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体结构的剖视图。

图1B绘示图1A的电容结构的俯视图。

图2A绘示依照本发明另一实施例的电容结构的剖视图。

图2B绘示图2A的电容结构的俯视图。

图3A至3N绘示依照本发明一实施例的半导体结构的制造过程图。

图4A至4C绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100：半导体结构

110：基板

110u、126u：上表面

110b：下表面

121a、125a、150a、180a：开孔

120：被动元件层

121：第一介电层

122：图案化线路层

1221：接垫

124：第一导电层

124’：第一金属材料

1241：连接部

1242：电容部

124s、126s、125s：侧面

125：介电层

125′：电容介电材料

1251′、1261’：一部分

124p：边缘

126：第二导电层

126’：第二金属材料

150：第二介电层

160：第一光阻层

170：电性接点

180：光阻层

180b：镂空图案

260：第二光阻层

C：电容结构

L：电感结构

W1、W2：宽度

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的半导体结构的剖视图。半导体结构100包括基板110及被动元件层120及第二介电层150。

如图1A所示，基板110例如是玻璃基板或是硅基板，其具有相对的上表面110u与下表面110b。

如图1A所示，被动元件层120形成于基板110的上表面110u上。本实施例中，被动元件层120包括至少一电容结构C、一第一介电层121及一图案化线路层122。

如图1A所示，第一介电层121覆盖电容结构C。第一介电层121具有至少一开孔121a，其露出部分电容结构C，使图案化线路层122可经由开孔121a连接于电容结构C。

如图1A所示，图案化线路层122形成于第一介电层121上，且经由开孔121a连接于电容结构C。第一导电层124的连接部1241与电容结构C可通过图案化线路层122连接。另一实施例中，可视设计而定省略连接部1241。图案化线路层122包括至少一电感结构L，另一实施例中，可视设计而定省略电感结构L。