[发明专利]大尺寸蓝宝石单晶的制备方法有效
申请号: | 201210028306.9 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN102560623A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 刘世杰 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/20 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 周祥生;尹丽 |
地址: | 213200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 尺寸 蓝宝石 制备 方法 | ||
1.一种大尺寸蓝宝石单晶的制备方法包括如下步骤:
第一步,准备工作:
(1)将纯度为99.996%的高纯氧化铝原料装入单晶炉坩埚内,在籽晶杆上安装好方籽晶,关闭单晶炉盖,启动冷却水循环系统;
(2)启动真空系统,使炉内压力达到10-4Pa;
(3)启动加热系统,调节加热电压,加热升温,使原料全部熔化,在2152℃~2155℃温度条件下保温1-2小时,保温结束后调节加热电压降温至2058℃,观察熔体液面状态,熔体内冷心位置与坩埚几何中心相对偏差小于5mm;
(4)启动辅助调温系统,调节炉内温度场,使熔体内冷心位置与坩埚几何中心位置重合;
第二步,烘烤籽晶:以2-15mm/分钟速度调低籽晶杆高度,使籽晶下端逐渐接近液面,在液面以上2-3mm处烘烤籽晶,使籽晶下端温度逐渐升高接近熔体表面温度;
第三步,引晶:调节加热电压,使坩埚内熔体的温度保持在2052℃~2055℃之间,籽晶杆下端面的温度为2050℃,籽晶杆下端面向上的温度场梯度为:每提高1厘米温度下降0.2℃,以2-10转/分钟的速度旋转籽晶杆,当部分熔体开始在籽晶周围结晶,缓慢扩放成晶盘,待晶盘稳定后,籽晶杆以0.1-3mm/分钟的速度向上提拉,进行等直径收缩引晶,在拉晶过程中籽晶杆为变速旋转,开始引晶的旋转速度2-10转/分钟,然后以80-100min/转的速率将籽晶杆转速降至0.1-1转/分钟,按此工艺要求完成引晶。
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