[发明专利]统一的多级单元存储器有效
申请号: | 201210028325.1 | 申请日: | 2004-09-09 |
公开(公告)号: | CN102543169A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | H.V.特兰;H.Q.阮;V.萨林;L.B.霍尔恩;I.诺吉马 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐红燕;王忠忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 统一 多级 单元 存储器 | ||
1.一种存储系统,包括:
多个存储单元;和
多个标签位单元。
2.如权利要求1的数据存储系统,其中存储单元为单级或多级。
3.如权利要求2的数据存储系统,其中存储单元是非易失性的。
4.如权利要求2的数据存储系统,其中存储单元是易失性的。
5.如权利要求1的数据存储系统,其中标签位为单级或多级。
6.如权利要求5的数据存储系统,其中标签位为非易失性的或易失性的。
7.一种数据存储系统,包括:
包括多个存储器阵列的存储器,每个存储器阵列包括多个存储单元用于在其中存储内容,
所述存储器阵列中的第一个,执行第一存储器操作,且所述存储器阵列中的第二个,同时执行第二存储器操作,
所述第一和第二存储器阵列分别存储第一和第二类型的内容。
8.如权利要求7的数据存储系统,其中该存储器是单片的。
9.如权利要求7的数据存储系统,其中第一存储器操作为编程,所述存储器阵列中的第一个存储数据,第二存储器操作为擦除而存储器阵列中的第二个存储代码。
10.如权利要求7的数据存储系统,其中第一存储器操作为编程,所述存储器阵列中的第一个存储数据,第二存储器操作为编程而存储器阵列中的第二个存储代码。
11.一种可配置感测放大器,包括:
比较器,具有耦合至栅极参考电压端的第一输入,具有耦合至检测的电压端的第二输入,并具有输出,用于产生表示在施加到第一和第二端的电压之间的比较的输出信号;以及
可配置检测电路,耦合至检测电压端以提供表示在选择的存储单元中的内容的电压,所述电压在电压感测模式或电流感测模式中实现。
12.如权利要求11的可配置感测放大器,其中该感测模式配置电路将可调节的偏置提供给依赖于感测模式的电压端。
13.如权利要求11的可配置感测放大器,还包括第二缓冲/增益级。
14.如权利要求13的可配置感测放大器,其中第二缓冲/增益级包括可调节的偏置。
15.如权利要求14的可配置感测放大器,其中比较器包括可调节的偏置。
16.如权利要求11的可配置感测放大器,还包括其为源极跟随器的第二缓冲/增益级。
17.如权利要求11的可配置感测放大器,还包括比较器级。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术公司,未经硅存储技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210028325.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:存储装置、主机装置、电路基板、液体容器以及系统
- 下一篇:操控方法