[发明专利]PWM直流脉冲电路和镀膜电路

权利要求书

1.一种脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路，其特征在于，该电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路均相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路均相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态。

2.根据权利要求1所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：

所述第一开关电路和所述第二开关电路均为具有高频工作特性的晶体管。

3.根据权利要求2所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：

所述晶体管为绝缘栅型场效应管(MOSFET)，所述MOSFET包括N沟通MOSFET和P沟道MOSFET；

当所述MOSFET为所述N沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；

当所述MOSFET为所述P沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连。

4.根据权利要求2所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：

所述晶体管为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或IGBT模块，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的集电极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的发射级与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连。

5.根据权利要求1所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：

所述电感电路为电感；所述电感，用于在所述第一开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第二开关电路的电压下降至零；或者，在所述第二开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第一开关电路的电压下降至零。

6.根据权利要求1所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：

所述第一分压电容电路为第一分压电容，所述第二分压电容电路为第二分压电容，所述第一分压电容的正极与所述供电电源的正极相连，所述第二分压电容的负极与所述供电电源的负极相连。

7.一种镀膜电路，该电路包括脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路和与所述PWM直流脉冲电路相连的负载，其特征在于：

所述PWM直流脉冲电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路均相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路均相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态；所述负载与所述第二开关电路并联。