[发明专利]一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法

权利要求书

1.一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法，包括制备氧化铝钝化层的步骤，激光扫描的步骤和蒸镀铝层的步骤，其特征在于：激光扫描的步骤为：采用飞秒激光热效应和化学还原相结合的方法，在氧化铝钝化层上进行扫描，实现电池的背面栅电极制作，具体如下：在氢气或一氧化碳气氛下，利用飞秒激光在钝化层上所需位置扫描，采用中心波长为808 nm的钛宝石飞秒激光系统；激光器输出中心波长808 nm，脉冲宽度30~100飞秒，重复频率1 ~10 kHz；输出激光由衰减片调节单脉冲能量为0.01~2毫焦，飞秒激光引入显微镜，经滤光、能量衰减、扩束后，对光束进行聚焦，获得直径为5～20微米的高斯光束，样品固定在三维移动平台的XY平面上，计算机控制激光扫描头沿着X和Y方向移动，通过飞秒激光扫描形成平行的栅线。

2.如权利要求1所述的一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法，其特征在于：所述的计算机控制激光扫描头沿着X和Y方向移动，通过飞秒激光扫描形成平行的栅线的方法如下：

（1）计算机控制扫描头沿着X轴方向向右移动，移动速率100~200 mm/s，进行X方向扫描；

（2）X方向移动一行以后，计算机控制扫描头沿Y方向向前移动100~500 μm，重复X方向扫描；

（3）重复步骤（2）和（3）直至扫描结束。

3.如权利要求1所述的一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法，其特征在于：所述的制备氧化铝钝化层的步骤为：利用ALD技术制备氧化铝薄膜，以三甲基和去离子水为液态源，在100～250℃下沉积氧化铝层，沉积厚度20～50nm。

4.如权利要求1所述的一种高效晶体硅太阳电池局部背接触结构的制备方法，其特征在于：所述的蒸镀铝层的步骤为：利用热蒸发或电子束蒸发在经激光扫描后的氧化铝钝化层上沉积铝层，厚度在100～200 nm。