[发明专利]光伏装置

权利要求书

1.一种光伏装置，包括：

第一半导体层；

p+型半导体层；以及

夹层，置于所述第一半导体层与所述p+型半导体层之间，其中所述夹层包括镁和碲。

2.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述夹层包括具有分子式(I)的成分：

(I)Mg_xCd_1-xTe；

其中“x”是在从大约0.05至大约0.6的范围之内。

3.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述第一半导体层的晶格常数与所述夹层的晶格常数之间的百分比差小于大约1％。

4.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述夹层具有从大约1.5eV至大约3.5eV的范围之内的带隙。

5.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述夹层包括p掺杂碲化镁或者p掺杂碲化镁镉。

6.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述第一半导体层包括p型材料。

7.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述第一半导体层包括基本本征材料。

8.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述第一半导体层具有从大约1.3eV至大约1.6eV的范围之内的带隙。

9.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述p+型半导体层具有从大约每立方厘米10¹⁷至大约每立方厘米10²⁰的范围之内的载流子密度。

10.一种光伏模块，包括权利要求1所述的多个光伏装置。