[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括依次沉积的n型层、发光层和p型层，所述n型层具有凹坑，其中所述凹坑的直径在所述发光层与所述n型层之间的界面处为110nm至150nm；所述发光层具有MQW结构，在所述MQW结构中AlGaN势垒层和InGaN阱层交替地沉积。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述势垒层相对于AlGa具有3摩尔％至7摩尔％的Al组成比。

3.根据权利要求1或2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述n型层具有如下结构：在所述结构中沉积n型接触层、ESD层和n型包覆层；在所述ESD层中并由所述ESD层形成所述凹坑；以及形成所述n型包覆层和所述发光层但不掩埋所述凹坑。

4.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件包括依次沉积的n型层、发光层和p型层，所述n型层具有凹坑，所述方法包括：

在850℃至920℃的生长温度下形成所述凹坑；

通过交替地沉积AlGaN势垒层和InGaN阱层来形成所述发光层。

5.根据权利要求4所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述势垒层形成为相对于AlGa具有3摩尔％至7摩尔％的Al组成比。

6.根据权利要求4或5所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述n型层具有如下结构：在所述结构中沉积n型接触层、ESD层和n型包覆层；在所述ESD层中并由所述ESD层形成所述凹坑；以及形成所述n型包覆层和所述发光层但不掩埋所述凹坑。