[发明专利]一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法及其装置有效
| 申请号： | 201210029188.3 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102560645A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 武鹏;胡亚兰;郑玉芹;徐岩 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 形成 过程 控制 电阻率 方法 及其 装置 | ||
1.一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：
将含有掺杂剂的硅料熔化为硅熔体；
定向凝固，将所述硅熔体结晶生成晶体硅；
掺杂补偿，在所述定向凝固过程中，向剩余的硅熔体中掺入掺杂补偿剂以使最终形成的硅锭至少在晶体高度的90％的部分的电阻率处于1.0～3.0Ω·cm的范围内，所述掺杂补偿剂与所述掺杂剂的导电类型相反。
2.根据权利要求1所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，在所述定向凝固过程中，在达到晶体高度预定值时进行所述掺杂补偿步骤。
3.根据权利要求1所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，所述掺杂剂为N型母合金或N型半导体元素。
4.根据权利要求3所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，所述掺杂补偿剂为P型母合金或P型半导体元素。
5.根据权利要求1所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，所述掺杂剂为P型母合金或P型半导体元素。
6.根据权利要求5所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，所述掺杂补偿剂为N型母合金或N型半导体元素。
7.根据权利要求1所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，所述掺杂补偿步骤中的掺杂方式为持续掺杂或分次掺杂。
8.一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，包括：
炉体，其包括上炉体与下炉体，
掺杂补偿单元，设置于所述上炉体上，所述掺杂补偿单元包括承载掺杂补偿剂的承载件和驱动所述承载件前进或者后退的驱动件，所述承载件连接于所述驱动件上，所述驱动件设置于所述上炉体。
9.根据权利要求8所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，其特征在于，所述承载件具有与驱动件相连接的连杆及夹持掺杂补偿剂的夹头，其中，所述夹头连接于所述连杆的端部。
10.根据权利要求8所述的在晶体硅形成过程中控制电阻率的装置，其特征在于，所述装置还包括一个气体导流筒，所述掺杂补偿单元设置在所述气体导流筒内。
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