[发明专利]一种晶体振荡器电路及芯片

权利要求书

1.一种晶体振荡器电路，与直流电源相连接，其特征在于，所述晶体振荡器电路包括：

晶振，用于产生基准时钟信号；

振荡响应单元，具有输入端和电压调节端，所述输入端接所述晶振的第一端，用于根据所述晶振的振荡幅度调整所述电压调节端的电压；

偏置电流供给单元，输入端和输出端分别接所述直流电源的输出端和所述振荡响应单元的电压调节端，用于为所述振荡响应单元提供偏置电流；

NMOS管Mn1，栅极接所述振荡响应单元的电压调节端，源极接等电势地，用于根据所述振荡响应单元的电压调节端的电压变化调节其内部导通电流；

电流镜像单元，输入端接所述直流电源的输出端，第一输出端和第二输出端分别接所述晶振的第二端和所述NMOS管Mn1的漏极，用于将NMOS管Mn1的导通电流进行镜像处理；

负反馈单元，第一端与第四端均接所述晶振的第二端，第二端与第三端均与所述晶振的第一端相连接，用于根据所述电流镜像单元的第一输出端输出的镜像电流产生负反馈以调整所述晶振的振动幅度。

2.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述振荡响应单元包括耦合电容C1、NMOS管Mn2及电阻R1，所述耦合电容C1的第一端为所述振荡响应单元的输入端，所述NMOS管Mn2的栅极接所述耦合电容C1的第二端，所述NMOS管Mn2的漏极为所述振荡响应单元的电压调节端，所述NMOS管Mn2的源极接等电势地，所述电阻R1连接于所述NMOS管Mn2的栅极与漏极之间。

3.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述偏置电流供给单元包括PMOS管Mp1、PMOS管Mp2及电流源I1，所述PMOS管Mp1的源极与所述PMOS管Mp2的源极相连并共同构成所述偏置电流供给单元的输入端，所述PMOS管Mp1的栅极与源极共接后再与所述PMOS管Mp2的栅极相连接，所述电流源I1的输入端和输出端分别与所述PMOS管Mp1的漏极和等电势地相连接，所述PMOS管Mp2的漏极为所述偏置电流供给单元的输出端。

4.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述电流镜像单元包括PMOS管Mp3和PMOS管Mp4，所述PMOS管Mp3的源极与所述PMOS管Mp4的源极相连并共同构成所述电流镜像单元的输入端，所述PMOS管Mp3的漏极为所述电流镜像单元的第一输出端，所述PMOS管Mp4的栅极与源极共接后再与所述PMOS管Mp3的栅极相连接，所述PMOS管Mp4的漏极为所述电流镜像单元的第二输出端。

5.如权利要求1所述的晶体振荡器电路，其特征在于，所述负反馈单元包括单位增益放大器AMP1与NMOS管Mn3，所述单位增益放大器AMP1的同相输入端、反相输入端及输出端分别为所述负反馈单元的第一端、第二端及第三端，所述NMOS管Mn3的漏极为所述负反馈单元的第四端，所述NMOS管Mn3的栅极和源极分别接所述单位增益放大器AMP1的输出端和等电势地。

6.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括晶体振荡器电路，所述晶体振荡器电路与直流电源相连接，所述晶体振荡器电路包括：

晶振，用于产生基准时钟信号；

振荡响应单元，具有输入端和电压调节端，所述输入端接所述晶振的第一端，用于根据所述晶振的振荡幅度调整所述电压调节端的电压；

偏置电流供给单元，输入端和输出端分别接所述直流电源的输出端和所述振荡响应单元的电压调节端，用于为所述振荡响应单元提供偏置电流；

NMOS管Mn1，栅极接所述振荡响应单元的电压调节端，源极接等电势地，用于根据所述振荡响应单元的电压调节端的电压变化调节其内部导通电流；

电流镜像单元，输入端接所述直流电源的输出端，第一输出端和第二输出端分别接所述晶振的第二端和所述NMOS管Mn1的漏极，用于将NMOS管Mn1的导通电流进行镜像处理；

负反馈单元，第一端与第四端均接所述晶振的第二端，第二端与第三端均与所述晶振的第一端相连接，用于根据所述电流镜像单元的第一输出端输出的镜像电流产生负反馈以调整所述晶振的振动幅度。