[发明专利]用于手机的射频功率放大器无效
| 申请号： | 201210029552.6 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102594269A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马骏 | 申请（专利权）人： | 无锡木港科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214131 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 手机 射频 功率放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于手机的射频功率放大器，包括输入匹配单元(1)、晶体管放大器(2)和输出匹配单元(3)，其特征在于，所述晶体管放大器(2)由多个CMOS晶体管级联而成，所述CMOS晶体管之间设有中间端匹配单元(4)。
2.如权利要求1所述的用于手机的射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配单元(1)由电感LG1，电阻R1，电容C1组成，所述电阻R1和电容C1并联后再和电感LG1串接相连，所述输出匹配单元(3)由并联在一起的电感Lo，电容Co组成。
3.如权利要求1所述的用于手机的射频功率放大器，其特征在于，所述中间端匹配单元(4)为由电容，电感和电阻组成的T型匹配网络阻抗。
4.如权利要求1～3任一项所述的用于手机的射频功率放大器，其特征在于，所述CMOS晶体管的最小沟道长度为45纳米。
5.如权利要求1～3任一项所述的用于手机的射频功率放大器，其特征在于，所述晶体管放大器(2)由两个CMOS晶体管级联而成，输出功率为27dBm。
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